CORSAIR RM1200x SHIFT 1200W特色：
●通過80PLUS金牌、CYBENETICS GOLD及噪音A-級認證，降低廢熱產生，節省電能消耗及電費支出
●側插式設計，模組化插座位於電源側面，即使電源安裝在機殼內依舊容易插拔，搭配黑色帶狀模組化線組
●提供1條雙8P轉12VHPWR接頭模組化線材，支援新款顯示卡
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●採用主動功率因數修正、全橋諧振及同步整流12V功率級，單路12V輸出，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用140mm FDB風扇，搭配ZERO RPM模式，低負荷下風扇停止運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系105℃電解電容，加強可靠度及耐用度，並提供10年產品保固
CORSAIR RM1200x SHIFT 1200W輸出接頭數量：
ATX24P：1個
EPS 4+4P：2個
12VHPWR：1個(雙8P轉換)
PCIE 6+2P：8個
SATA：16個
大4P：8個
▼外盒正面有商標、ATX 3.0/≦600W PCIe 5.0字樣、SHIFT側插式說明、產品外觀圖、產品名稱、10年保固圖示、80PLUS金牌認證
▼外盒背面有商標、產品名稱、產品外觀圖、CYBENETICS GOLD/噪音A-級標誌、10年保固圖示、80PLUS金牌認證、ZERO RPM MODE標誌、外觀三視圖/尺寸規格、多國語言特色說明、轉換效率圖表、風扇噪音VS負載圖表、輸入/輸出規格表
▼上側面膠膜有代理商服務保固卡說明貼紙
▼外盒上側面有商標、產品外觀圖、POWER PLAY字樣、產品名稱。外盒下側面有商標、相容規範、包裝內容、模組化線材數量/接頭配置圖、回收資訊、安規認證、廠商資訊、產地、條碼
▼外盒左/右側面有商標、產品外觀圖、產品名稱
▼打開外盒，內側印上電子說明書連結QR碼
▼包裝內容有電源本體、塑膠束線帶、固定螺絲、3×2.0mm² 15A交流電源線、安全資訊文件、模組化線組
▼本體尺寸為150x86x180mm
▼直接在外殼沖壓加工三角形孔洞風扇護網，中間六角形有商標
▼本體背面的標籤有商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、廠商資訊、安規認證、條碼、產地
▼於總開關及交流輸入插座處貼上多國語言”系統在低負載情況下，靜音模式會自動開啟，電源風扇停止轉動”注意貼紙
▼本體三角形孔洞網狀出風口處設有電源總開關、交流輸入插座，總開關下方有商標
▼一般電源會在這一面外殼設置模組化輸出插座，因為此款電源採側插式設計，所以什麼都沒有
▼本體兩側，其中一面有商標及產品名稱的裝飾貼紙，另一面設置模組化輸出插座，全部採用Molex Micro-Fit 3.0插座，並標示連接裝置名稱及限用Corsair原裝Type 5模組化線材
▼因為電源端模組化輸出插座採用Molex Micro-Fit 3.0插座，模組化線材連接電源供應器這端的接頭也採用Molex Micro-Fit 3.0插頭，ATX24P使用10P+18P(左1)，12VHPWR使用8P+8P(左2)，SATA/大4P使用6P(中)，EPS 4+4P/PCIE 6+2P使用8P(右)
▼Molex Micro-Fit 3.0插頭(左)與目前普遍使用的Molex Mini-Fit插頭(右)的外觀大小差異
▼1條主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供1個ATX24P接頭，線路長度60公分
▼ATX24P接頭未提供負12V針腳，所以會有2個空腳位(另1個是已經取消很久的負5V)
▼2條處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，線路長度64.5公分
▼1條雙Micro-Fit 3.0 8P轉12VHPWR黑色帶狀模組化線路，線路長度64公分。12VHPWR接頭上未標示功率，S4/S3都接至COM，為600W定義，S2/S1空接(沒有線路)
▼模組化線材中間使用3條塑膠束線帶固定
▼6條顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供8個PCIE 6+2P接頭，4條為單接頭配置，線路長度64.5公分；2條為雙接頭配置，至第一個接頭線路長度64.5公分，接頭間線路長度10.5公分
▼4條SATA接頭黑色帶狀模組化線路，提供16個直角SATA接頭，至第一個接頭線路長度45.5公分，接頭間線路長度10.5公分
▼2條大4P接頭黑色帶狀模組化線路，提供8個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭線路長度45公分，接頭間線路長度10公分。未提供小4P接頭或轉接線
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12VHPWR模組化線路的2個Molex Micro-Fit 3.0 8P插頭連接處近照
▼因為線組連接處在電源側面，機殼右側面必須要有足夠預留空間，才能降低線材擠壓程度。將線組連接面朝上，讓模組化線路隨重力自然下垂，不施外力彎曲，其彎曲高度44mm
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼此款電源由Power Plus/CWT代工，採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V，未提供負12V輸出
▼使用CORSAIR NR140P 14公分12V/0.22A風扇，並設置氣流導風片
▼所有元件都移到電路板正面，背面沒有元件，焊點整體做工良好，大電流線路有額外敷錫處理，12V迴路部分區域增加金屬板
▼交流電源線的磁芯有包覆套管。總開關未串接交流電源線，而是接到輔助電源電路子卡(紅色箭頭)，直接控制輔助電源ON/OFF。總開關及線路有包覆套管
▼交流輸入插座焊點加上1個X電容(CX1)、2個Y電容(CY1/CY2)，焊點處未包覆套管
▼X電容本體及接腳包覆套管，底部小電路板有X電容放電IC及隨附電阻
▼主電路板上EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)、4個Y電容(CY3/CY4/CY5/CY6)，CM2共模電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，臥式安裝的保險絲及突波吸收器有包覆套管
▼2顆VISHAY LVB2560低壓降橋式整流器安裝在散熱片的2個面上
▼APFC功率元件安裝在散熱片上，共有3個Infineon IPA60R099P6全絕緣封裝MOSFET及2個Wolfspeed C3D08060A二極體，散熱片另一面有溫度開關。包覆黑色聚酯薄膜膠帶的環狀磁芯APFC電感旁NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，在電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼APFC電容採用1個Nippon Chemi-con 400V 680µF KMR系列(左)及1個Nichicon 400V 560µF GG系列(右)105℃電解電容並聯，總容值為1240µF
▼APFC電路控制子卡上有虹冠電子CM6500UNX及Sync Power SPN5003
▼輔助電源電路子卡上有On-Bright OB2365T
▼輔助電源電路變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，右側為輸出端Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon電解電容
▼一次側散熱片上有4個Infineon IPA60R125P6全絕緣封裝MOSFET，安裝在散熱片的兩側
▼1個諧振電感與2個相疊的諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電容旁為一次側電流偵測用比流器。諧振電感、比流器及2個一次側MOSFET隔離驅動變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼12V功率級主變壓器
▼主變壓器旁8個onsemi NTMFS5C612N MOSFET組成二次側12V同步整流電路，使用金屬散熱片協助散熱
▼功率級控制子卡上的虹冠電子CU6901VAC負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制
▼12V輸出的9個Nichicon固態、4個Nichicon電解電容及1個環狀磁芯電感
▼3.3V/5V DC-DC子卡，最上方4顆UBIQ QN3107M6N MOSFET為3.3V/5V功率級，中間µP3861P雙通道同步降壓PWM控制器負責控制3.3V/5V功率級。2個環狀電感周圍有輸入/輸出用Nippon Chemi-con/Nichicon固態電容，2個分流器偵測3.3V/5V輸出電流
▼模組化輸出插座板背面設置內嵌銅箔的隔板
▼模組化插座板正面，Molex Micro-Fit 3.0插座之間設置19個Nichicon固態電容(頂部紅色較深)及6個APAQ固態電容(頂部紅色較淡)，加強輸出濾波/退耦效果
▼模組化插座板正面左側有Microchip PIC16F1503-I/SL微控制器及Weltrend WT7502R電源管理IC，後者負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗2.44W
▼於20%/50%/100%輸出下效率分別為90.27%/91.91%/89.45%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼於10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9934，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出58%時3.3V/5V電流達18A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為38.4mV
▼綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為36.6mV
▼綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為122mV
▼偏載測試，12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出5%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為25.8mV
▼純12V輸出5%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為25.9mV
▼純12V輸出5%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為116mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率65.2%，輸出12V/2A效率76.5%，輸出12V/3A效率77.9%，輸出12V/4A效率80.3%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/18A、5V/18A、12V/87A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為27ms，5V上升時間為5ms，3.3V上升時間為5ms
▼3.3V/18A、5V/18A、12V/87A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於25ms降至11.44V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波
▼輸出12V/1A至4A時12V漣波波形如圖所示
▼輸出12V/7A時12V漣波波形如圖所示。輸出12V/8A以上漣波波形固定，只改變振幅
▼於3.3V/18A、5V/18A、12V/87A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為23.2mV/20.8mV/17.2mV，高頻漣波分別為20mV/20mV/17.6mV
▼於12V/100A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為23.2mV/19.2mV/16mV，高頻漣波分別為19.2mV/19.2mV/16.4mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為234mV，同時造成5V產生32mV、3.3V產生54mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為214mV，同時造成5V產生50mV、3.3V產生66mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至80A，維持時間500微秒，最大變動幅度為546mV，同時造成5V產生74mV、3.3V產生86mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度為536mV，同時造成5V產生82mV、3.3V產生98mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/檢流電阻(上圖)及APFC MOSFET/APFC DIODE/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下諧振電感/一次側MOSFET(上圖)及主變壓器/二次側(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下DC-DC MOSFET的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P(單頭)連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P(雙頭)連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12VHPWR模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後，電源端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼執行FURMARK 30分鐘後，顯示卡端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
○採用側插式全模組化設計，模組化插座及黑色帶狀模組化線材採用Molex Micro-Fit 3.0連接器，提供1個ATX 24P、2個EPS 4+4P、1個雙8P轉12VHPWR、8個PCIE 6+2P、16個直角SATA、8個省力易拔大4P，未提供小4P接頭或轉接線。ATX24P的負12V輸出針腳空接
○12VHPWR接頭的S4/S3接至COM，為600W定義，S2/S1空接未設線路
○風扇護網直接沖壓在外殼上，具備ZERO RPM功能，於低負載下風扇停止運轉，待負載提高後才會啟動並採溫控運轉
○交流輸入插座焊點有2個Y電容、1個X電容，X電容底部小電路板有X電容放電IC，焊點沒有包覆套管。總開關控制輔助電源電路ON/OFF，不直接控制交流輸入。磁芯/總開關/總開關線路/X電容/X電容接腳/保險絲/突波吸收器有包覆套管
○電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，大電流線路有敷錫處理，12V迴路部分區域加上金屬板
○採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振、二次側同步整流輸出12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，未設置負12V轉換電路
○APFC MOSFET/一次側MOSFET使用Infineon，APFC二極體使用Wolfspeed，二次側12V同步整流MOSFET使用onsemi，3.3V/5V DC-DC MOSFET使用UBIQ。APFC/一次側使用全絕緣封裝MOSFET
○APFC電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon，其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon/APAQ
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍，並加裝微控制器
各項測試結果簡單總結：
○於20%/50%/100%輸出下效率分別為90.27%/91.91%/89.45%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
○功率因數修正滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間27ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於25ms降至11.44V
○輸出無負載時12V有鋸齒狀漣波；輸出12V/1A至7A時12V漣波頻率增加；輸出12V/8A以上12V漣波波形固定，只改變振幅。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為23.2mV/20.8mV/17.2mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為23.2mV/19.2mV/16mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為234mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為214mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至80A，維持時間500微秒，最大變動幅度為546mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度為536mV
○熱機下3.3V過電流截止點在30A(150%)，5V過電流截止點在30A(150%)，12V過電流截止點在124A(124%)
報告完畢，謝謝收看