特色：
●通過80PLUS金牌認證，節省電能消耗，降低廢熱產生
●全模組化設計，採用黑色編織網包覆(12VHPWR)及黑色帶狀線材
●相容ATX 3.0/PCIe 5.0，提供1個12VHPWR插座及1條模組化線材，支援新款顯示卡
●處理器12V供電提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●內部12公分HYB軸承風扇具備停轉功能，於低負荷下風扇將停止轉動，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系主電容
GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
12VHPWR：1個
PCIE 6+2P：4個
SATA：8個
大4P：3個
小4P：1個
▼外盒正面有GIGABYTE商標、80PLUS金牌、UD GOLD標誌、1000W功率、UD1000GM PCIE 5.0 Modular Power Supply名稱、PCI-E GEN 5/ATX 3.0接頭圖、特色圖示、外觀圖
▼外盒背面有GIGABYTE商標、80PLUS金牌、1000W功率、UD1000GM PCIE 5.0 Modular Power Supply名稱、UD 標誌、特色說明、轉換效率圖表、風扇轉速VS輸出百分比圖表、接頭數量/圖片/線材長度配置表、輸入/輸出規格表、產品規格
▼外盒上側面有80PLUS金牌、GIGABYTE商標、UD GOLD標誌、PCI-E GEN 5/ATX 3.0字樣、1000W功率、UD1000GM PCIE 5.0 Modular Power Supply名稱。外盒下側面有多國語言產品特色、警告訊息、廠商資訊、產地、加州65號法案警語、安規認證、QR碼、條碼
▼外盒左側面有GIGABYTE商標、外觀圖、80PLUS金牌、UD GOLD標誌、1000W功率、UD1000GM PCIE 5.0 Modular Power Supply名稱、PCI-E GEN 5/ATX 3.0字樣
▼外盒右側面有GIGABYTE商標、80PLUS金牌、UD GOLD標誌、1000W功率、UD1000GM PCIE 5.0 Modular Power Supply名稱、PCI-E GEN 5/ATX 3.0字樣、外觀圖
▼包裝內容有電源本體、模組化線組、12VHPWR線組、3x2mm² 15A交流電源線、固定螺絲、多國語言使用說明
▼本體尺寸為140mmx150mmx86mm
▼本體兩側外殼有ULTRA DURABLE/GOLD 1000/GIGABYTE字樣及幾何線條裝飾
▼直接在外殼沖壓加工而成的風扇護網，中間有GIGABYTE商標銘牌
▼本體背面標籤有GIGABYTE商標、80PLUS金牌、UD1000GM PCIE 5.0 Rev2.0名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、PFC標示、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、警告訊息、廠商資訊、產地
▼本體出風口處設有電源總開關及交流輸入插座
▼模組化線組輸出插座前面有一張透明膠膜，上面有英文”安裝時請使用原裝線材”警語
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，下方有英文”安裝時請使用原裝線材”警語
▼1條主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，18AWG線路長度61公分
▼1條處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度60公分，接頭間18AWG線路長度20公分
▼1條12VHPWR黑色編織網包覆模組化線路，兩端接頭標示600W功率，16AWG/28AWG線路長度69.5公分
▼2條顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供4個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度59.5公分，接頭間18AWG線路長度15公分
▼2條SATA黑色帶狀模組化線路，提供6個直角及2個直式SATA接頭，至第一個接頭18AWG線路長度59.5公分，接頭間18AWG線路長度15公分
▼1條大/小4P黑色帶狀模組化線路，提供3個直角大4P接頭及1個小4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度50公分，大4P接頭間18AWG線路長度11公分，至末端小4P接頭18AWG線路長度14.5公分
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12VHPWR插頭近照
▼GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W內部結構及使用元件說明簡表
▼GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W為科司特CASTEC/MEIC代工，採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用JAMICON KF1225H1H-AA 12公分 12V/0.35A風扇，有設置氣流導風片
▼移除主電路板後，可以看到二次側位置(紅色箭頭)有加上灰色導熱墊片，下方黑色絕緣隔板有開孔使導熱墊片可以直接接觸金屬外殼
▼電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
▼交流輸入插座及總開關後方加上小電路板，電路板背面未覆蓋絕緣隔板，上面有X電容放電IC(PN8200)
▼小電路板正面有2個Y電容(CY1/CY2)、1個X電容(CX1)
▼主電路板交流輸入端臥式安裝的保險絲有包覆套管，突波吸收器未包覆套管。主電路板EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)，2個Y電容(CY3/CY4)藏在1個X電容(CX2)下方
▼2顆並聯的GBU1506橋式整流器固定在散熱片的兩側
▼APFC電感採用封閉式磁芯設計
▼APFC散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET及1顆ST STPSC10H065D二極體
▼主電路板背面的虹冠電子CM6500UNX負責APFC電路控制
▼APFC電容旁包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，但是沒有設置繼電器，無法在電源啟動後將NTC短路，會導致NTC因為本身阻抗產生功耗損失而持續發熱
(廠商回覆：為了在小尺寸外殼中讓輸出達到1000W，在設計上做了取捨。內部使用的NTC熱敏電阻品質優良，可以耐溫到200℃，隨著溫度提高，其阻抗會降至0.115Ω。加上採用UD設計，內部散熱佳，不用擔心單一元件溫度較高的狀況)
▼APFC電容採用Nippon Chemi-con 400V 1000µF KMW系列105℃電解電容
▼輔助電源電路一次側整合電源IC為PR8109T，輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼一次側散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET
▼1個諧振電感與2個諧振電容組成一次側諧振槽，一次側MOSFET隔離驅動變壓器及比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶，與EMI濾波電路之間加上隔板
▼主電路板上有6顆無錫新潔能NCEP40T15GU MOSFET組成二次側12V同步整流電路，中間及兩側的金屬板除傳遞電流外，也充當散熱片使用。附近有12V輸出的TEAPO固態電容、Lelon固態(紫色外皮)/電解電容及電感
▼主電路板背面的虹冠電子CM6901X負責控制一次側諧振及二次側12V同步整流MOSFET
▼3.3V/5V DC-DC子卡正面有方形磁芯電感及TEAPO固態電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡背面加上導熱墊片及散熱片，散熱片與模組化輸出插座板之間設置絕緣隔板
▼-12V DC-DC子卡上面有Axelite AX3111電源IC、電感及Lelon電解電容，背面設置黑色絕緣隔板
▼主電路板背面的Weltrend WT7502R電源管理IC，負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼主電路板上有1顆FMD輝芒微電子的8腳IC，並刻印上自訂編號
▼模組化輸出插座板背面也有1顆FMD輝芒微電子的8腳IC，同樣刻印上自訂編號
▼模組化輸出插座板背面大電流路徑有敷錫
▼模組化輸出插座板的插座之間配置TEAPO固態(紅色)/電解(黑皮白字)電容及Lelon固態(藍色)/電解(黑皮金字)電容，加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W的空載功耗5.37W
▼GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W於20%/50%/100%下效率分別為90.95%/91.85%/89.87%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9821，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出51%時3.3V/5V電流達15A後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為82.1mV
▼綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為110.8mV
▼綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為120mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出5%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為49.6mV
▼純12V輸出5%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為65.1mV
▼純12V輸出5%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為87mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率61.8%，輸出12V/2A效率73.1%，輸出12V/3A效率78.9%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/15A、5V/15A、12V/72A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為21ms，5V上升時間為8ms，3.3V上升時間為8ms
▼3.3V/15A、5V/15A、12V/72A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於15ms開始下降，於21ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為動態負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V帶有小振幅鋸齒狀漣波
▼輸出12V/1A時12V無明顯漣波。輸出12V/16A時漣波波形改變
▼輸出12V/17A時12V漣波波形振幅改變。輸出12V/18A以上漣波波形固定
▼於3.3V/15A、5V/15A、12V/72A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為41.2mV/16.4mV/15.6mV，高頻漣波分別為34.8mV/15.2mV/15.2mV
▼於12V/82A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為33.6mV/12.8mV/7.2mV，高頻漣波分別為28.8mV/11.6mV/7.6mV
▼12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為274mV，同時造成5V產生52mV、3.3V產生40mV的變動
▼12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為274mV，同時造成5V產生58mV、3.3V產生44mV的變動
▼12V動態負載測試，變動範圍10A至67A，維持時間500微秒，最大變動幅度為638mV，同時造成5V產生70mV、3.3V產生78mV的變動
▼12V動態負載測試，變動範圍20A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度為548mV，同時造成5V產生72mV、3.3V產生84mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下共模電感/橋式整流/APFC電感/NTC(上圖)及APFC MOSFET/APFC DIODE(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下諧振電感/主變壓器/二次側MOSFET(上圖)及DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條處理器電源模組線連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE顯示卡電源模組線連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12VHPWR模組化線材去接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後，電源端12VHPWR插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼執行FURMARK 30分鐘後，顯示卡端12VHPWR插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
○採用全模組化設計，除12VHPWR為黑色編織網包覆線組外，其他均使用黑色帶狀線。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個600W 12VHPWR、4個PCIE 6+2P、6個直角SATA、2個直式SATA、3個直角大4P、1個小4P。除12VHPWR為16AWG+28AWG外，其他線組都使用18AWG線路
○電源端12VHPWR插座的S4/S3接至COM，為600W定義，S2經100kΩ電阻接至+3.3V，S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
○直接在外殼上沖壓風扇護網，低負荷風扇停轉功能固定開啟
○交流輸入插座及總開關後方加上小電路板，上面有2個Y電容、1個X電容及X電容放電IC，背面未覆蓋絕緣隔板。主電路板上保險絲有包覆套管，突波吸收器未包覆套管
○電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○雖有裝設防止湧浪電流的NTC，但未配置開機後將其短路的繼電器，會因為本身阻抗造成額外功耗及發熱
○APFC、一次側及二次側MOSFET使用無錫新潔能，APFC DIODE使用ST
○APFC電容使用Nippon Chemi-con，其他固態/電解電容使用TEAPO/Lelon
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W於20%/50%/100%下效率分別為90.95%/91.85%/89.87%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
○GIGABYTE UD1000GM PG5(REV. 2.0) 1000W的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間21ms，5V上升時間8ms，3.3V上升時間8ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於15ms開始下降，於21ms降至11.41V
○輸出無負載時12V帶有小振幅鋸齒狀漣波；輸出12V/1A時12V無明顯漣波；輸出12V/16A時漣波波形改變；輸出12V/17A時12V漣波波形振幅改變；輸出12V/18A以上漣波波形固定。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為41.2mV/16.4mV/15.6mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為33.6mV/12.8mV/7.2mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為274mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為274mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至67A，維持時間500微秒，最大變動幅度為638mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度為548mV
○熱機下3.3V過電流截止點在32A(128%)，5V過電流截止點在41A(164%)，12V過電流截止點在102A(122%)
報告完畢，謝謝收看