MONTECH CENTURY G5 創世紀 ATX 3.0 850W特色：
●80PLUS金牌認證轉換效率，節省電能消耗，降低廢熱產生
●14公分短機身，全模組化設計，採用黑色帶狀模組化線材
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12VHPWR插座及1條模組化線材，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、全橋諧振及同步整流12V功率級，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●12公分散熱風扇採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●100% 105℃全日系電容，加強可靠度及耐用度，提供10年保固
MONTECH CENTURY G5 創世紀 ATX 3.0 850W輸出接頭數量：
ATX24P：1個
EPS 4+4P：2個
12VHPWR：1個
PCIE 6+2P：4個
SATA：10個
大4P：3個
小4P：1個
▼外盒正面有MONTECH商標、外觀圖、10年原廠保固字樣、80PLUS金牌認證、創世紀CENTURY G5名稱、850W輸出功率
▼外盒背面有MONTECH商標、特色說明、線組樣式/接頭配置/數量表、條碼、注意事項、廠商連絡電話/官方網站
▼外盒上/下側面有CENTURY G5名稱、850W輸出功率
▼外盒左側面有MONTECH商標、CENTURY G5名稱、850W輸出功率、風扇轉速VS輸出功率圖表、轉換效率圖表。外盒右側面有MONTECH商標、CENTURY G5名稱、850W輸出功率、產品/輸出規格表、特點、認證標誌
▼包裝內容有電源本體、印上商標的黑色尼龍袋、保固卡、安裝說明
▼印上商標的黑色尼龍袋內裝模組化線組、3×2.0mm² 15A交流電源線、固定螺絲
▼本體尺寸為140mm×150mm×86mm
▼本體兩側外殼裝飾貼紙有MONTECH商標及CENTURY G5字樣
▼直接在外殼上沖壓風扇護網，中間有MONTECH字樣銘牌
▼本體背面標籤有MONTECH商標、80PLUS金牌認證、CENTURY G5名稱、850W功率、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、條碼、安規認證、警告訊息、產地
▼本體出風口處設有交流輸入插座及電源總開關
▼模組化線組輸出插座有名稱標示
▼1條主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供1個ATX 24P接頭，線路長度49.5公分
▼2條處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，18AWG線路長度59.5公分
▼1條12VHPWR黑色帶狀模組化線路，線路長度50公分，接頭標示450W
▼12VHPWR接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼2條顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供4個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度50公分，接頭間18AWG線路長度15公分
▼3條SATA黑色帶狀模組化線路，提供7個直角SATA接頭及3個直式SATA接頭，其中一條配置2個接頭，至第一個接頭18AWG線路長度50公分，接頭間18AWG線路長度14.5公分。另外兩條配置4個接頭，至第一個接頭18AWG線路長度49.5公分，接頭間18AWG線路長度15公分
▼1條大4P黑色帶狀模組化線路，提供3個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度49.5公分，接頭間18AWG線路長度14.5公分。提供1條大4P接頭轉小4P接頭轉接線，20AWG線路長度15公分
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12VHPWR模組化線路插頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V
▼採用MARTECH DF1202512FDHN 12公分12V/0.42A風扇，有設置氣流導風片
▼主電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫處理
▼交流輸入插座焊點加上2個Y電容(CY1/CY2)及1個X電容(CX1)，磁芯、總開關焊點及X電容接腳有包覆套管，交流輸入插座焊點未包覆套管
▼主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)及2個Y電容(CY3/CY4)，臥式安裝的保險絲及突波吸收器未包覆套管
▼主電路板背面的X電容放電IC為Power Integrations CAP200DG
▼封閉磁芯APFC電感旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼APFC電容採用Nippon Chemi-con 400V 820µF CE系列105℃電解電容
▼GBU1506橋式整流器裝在右上方的散熱片上，APFC的2個Greatpower GP28S50YERD MOSFET及1個CRMicro華潤微電子CRXI06D065G2二極體與一次側其中2個Silan士蘭微電子SVF20N50F MOSFET裝在下方最大的散熱片上，一次側另外2個Silan士蘭微電子SVF20N50F MOSFET裝在左上方的散熱片上。APFC及一次側MOSFET使用全絕緣封裝
▼主電路板背面的虹冠電子CM6500UNX及Sync Power SPN5003負責APFC電路控制
▼2個一次側MOSFET隔離驅動變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主電路板正面的輔助電源電路一次側整合IC為Power Integrations TinySwitch-4 TNY287PG
▼輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼1個諧振電感及1個諧振電容組成一次側諧振槽，一次側電流偵測用比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼二次側散熱片的主電路板背面有6個Infineon BSC014N04LS MOSFET組成二次側12V同步整流電路
▼主電路板背面的虹冠電子CM6901X負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制
▼二次側散熱片之間有12V輸出的6個Nichicon固態電容、2個柱狀電感及2個Nippon Chemi-con電解電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡正面最上方4個UBIQ QM3054M6 MOSFET為3.3V/5V DC-DC功率元件，另外還有2個Nippon Chemi-con固態電容、2個環狀電感及2個Nichicon固態電容
▼主電路板正面的IN1S429I-DCG電源管理IC負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼主電路板背面用來偵測3.3V/5V輸出電流的分流器
▼模組化插座板與3.3V/5V DC-DC子卡之間設置隔板
▼模組化插座板正面，插座之間設置15個Nichicon固態電容及1個Nichicon電解電容，加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗16.87W
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.7%/92.14%/89.1%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9818，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出53%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為20.5mV
▼綜合輸出8%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為23.3mV
▼綜合輸出8%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為7mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為17.1mV
▼純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為17.3mV
▼純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為4mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率62.3%，輸出12V/2A效率76.3%，輸出12V/3A效率81.9%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/62A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為8ms，5V上升時間為3ms，3.3V上升時間為3ms
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/62A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於22ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V無明顯漣波；輸出12V/1A時12V無明顯漣波
▼輸出12V/2A以上12V漣波波形固定；輸出12V/17A時12V漣波振幅增大
▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/62A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為24mV/8mV/8mV，高頻漣波分別為14mV/7.6mV/8mV
▼於12V/70A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18mV/6mV/6mV，高頻漣波分別為8.8mV/6mV/6.4mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為318mV，同時造成5V產生36mV、3.3V產生42mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為364mV，同時造成5V產生48mV、3.3V產生50mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度為636mV，同時造成5V產生56mV、3.3V產生60mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度為672mV，同時造成5V產生62mV、3.3V產生64mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感/APFC MOSFET/APFC DIODE/一次側MOSFET/諧振電感(上圖)及主變壓器/二次側(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下DC-DC MOSFET的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12VHPWR模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後電源端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼執行FURMARK 30分鐘後顯示卡端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用黑色帶狀線材。提供1個ATX 24P、2個EPS 4+4P、1個450W 12VHPWR、4個PCIE 6+2P、10個SATA(7個直角，3個直式)、3個省力易拔大4P，提供1條大4P轉小4P轉接線
○電源端12VHPWR插座的S4接至COM，S3空接，為450W定義，S2經100kΩ電阻接至+3.3V，S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
○風扇護網直接沖壓在外殼上，風扇採溫控運轉
○總開關焊點及磁芯有包覆套管，交流輸入插座焊點、保險絲及突波吸收器未包覆套管
○主電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫處理
○採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振、二次側同步整流輸出12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V
○APFC MOSFET採用Greatpower，APFC二極體採用CRMicro華潤微電子，一次側MOSFET採用Silan士蘭微電子，二次側12V同步整流採用Infineon。APFC/一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用Nippon Chemi-con，其他電解電容使用Nippon Chemi-con、Nichicon、Rubycon，固態電容使用Nippon Chemi-con、Nichicon
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓/電流是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.7%/92.14%/89.1%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
○功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間8ms，5V上升時間3ms，3.3V上升時間3ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於22ms降至11.41V
○輸出無負載至輸出12V/1A時12V無明顯漣波；輸出12V/2A以上12V漣波波形固定；輸出12V/17A時12V漣波振幅增大。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為24mV/8mV/8mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為18mV/6mV/6mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為318mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為364mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度為636mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度為672mV
○熱機下3.3V過電流截止點29A(145%)，5V過電流截止點30A(150%)，12V過電流截止點112A(159%)
報告完畢，謝謝收看