特色：
●通過80PLUS金牌及CYBENETICS GOLD轉換效率認證
●半模組化設計
●提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12V-2×6接頭，相容ATX 3.1及PCI-E 5.1，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、半橋諧振、12V同步整流，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●13.5公分風扇採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
輸出接頭數量：
ATX 24P：1個
EPS 8P：1個
EPS 4+4P：1個
12V-2×6：1個
PCIE 6+2P：2個
SATA：6個
大4P：2個
▼外盒正面有80PLUS金牌認證、12V-2×6圖示、ATX 3.1圖示、外觀圖、品牌虛擬角色、商標、名稱、輸出功率
▼外盒背面有商標、名稱、線組長度配置圖、電源尺寸圖、接頭種類/數量表、輸入/輸出規格表
▼外盒上側面有商標、名稱、室溫25℃輸出百分比VS風扇轉速曲線、室溫25℃轉換效率曲線。外盒下側面有商標、名稱、多國語言產品特色
▼外盒左側面有商標、名稱、掃描了解更多QR碼連結、廠商資訊、產地(中國)、條碼、加州65號法案警告、回收/認證標誌
▼外盒右側面有商標、名稱、輸出功率
▼外盒內側印上標語
▼包裝內容有電源、快速安裝說明、模組化線組、固定螺絲、3×2mm² 15A交流電源線
▼電源尺寸150×150×86mm
▼側邊外殼貼紙有商標及名稱
▼風扇護網內的扇葉軸心有商標
▼電源背面標籤有商標、名稱、型號、輸入電壓/頻率/電流、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、80PLUS金牌認證、CYBENETICS GOLD認證、警告訊息、製造商資訊、產地(中國)、認證標誌
▼電源出風口處設有電源總開關及交流輸入插座
▼除直出線組外，還有2個SATA&Molex及2個CPU&VGA模組化線組輸出插座，下面有商標
▼1條主機板電源直出線路提供1個ATX 24P接頭，18AWG×22/20AWG×5帶狀線路長度64公分
▼1條處理器電源直出線路提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，至EPS 8P接頭18AWG帶狀線路長度67公分，EPS 8P接頭至EPS 4+4P接頭18AWG帶狀線路長度15公分
▼1條12V-2×6直出線路，線路長度62公分，接頭標示600W
▼12V-2×6接頭側面有H++標示
▼12V-2×6接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼1條顯示卡電源模組化線路提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭18AWG帶狀線路長度60公分，接頭間18AWG帶狀線路長度15公分
▼2條SATA&大4P模組化線路提供6個直角SATA接頭及2個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭18AWG帶狀線路長度45公分，接頭間18AWG帶狀線路長度10公分
▼將模組化線路接頭插上，會多出一個CPU&VGA插座
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用CWT13525H12F-9 12V/0.4A風扇，並設置氣流導風片
▼交流輸入插座焊點加上X電容CX1及Y電容CY1/CY2，總開關連接器及磁芯有包覆套管，交流輸入插座焊點及X電容未包覆套管
▼主電路板背面焊點整體做工良好，二次側部分大電流線路有敷錫
▼主電路板上有共模電感CM1/CM2、X電容CX2、Y電容CY3/CY4。保險絲及突波吸收器未包覆套管
▼主電路板背面的X電容放電IC及電阻
▼1個GBU1506橋式整流器安裝在散熱片上
▼2個INFINEON IPA60R125P6全絕緣封裝MOSFET及1個華潤微電子CRXI06D065G2二極體安裝在散熱片上
▼NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失。APFC電容採用TK 400V 680µF LW系列105℃電解電容
▼2個平偉實業PWE120N65SFMF全絕緣封裝MOSFET安裝在散熱片上
▼主電路板正面的NXP TEA2017AAT負責APFC及一次側控制
▼主電路板正面的輔助電源電路一次側整合IC為ON-BRIGHT OB2365T，二次側整流為揚傑電子SS10U45，輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼1個諧振電感及2諧振電容組成一次側諧振槽
▼主電路板正面有6個CHAMPION CMR013N045NSD56LTR二次側同步整流MOSFET
▼主電路板背面的NXP TEA2095負責二次側同步整流控制
▼3.3V/5V DC-DC子卡上的ANPEC APW7159C雙通道同步降壓PWM控制器控制4個UBIQ QM3054M6 MOSFET組成3.3V&5V DC-DC轉換電路，APAQ/TEAPO固態電容及環狀電感上面覆蓋內嵌銅箔的隔板
▼主電路板上的TI TPS54231組成-12V DC-DC轉換電路
▼主電路板二次側區域的ELITE固態電容、ELITE(棕色外皮)/JUN FU(綠色外皮)電解電容
▼主電路板線組輸出端附近的3.3V/5V輸出電流偵測用分流器、ELITE/TEAPO固態電容
▼主電路板上的INFSITRONIX IN1S429I-DCG電源管理IC負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化插座板正面插座之間設置TEAPO/APAQ固態電容，加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.08%/91.92%/89.36%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.993，滿足80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數大於0.9
▼綜合輸出負載測試，輸出54%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為57.9mV
▼綜合輸出8%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為57.6mV
▼綜合輸出8%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為17mV
▼偏載測試，12V維持空載下分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為43.9mV
▼純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為44.8mV
▼純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為16mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率71.7%，輸出12V/2A效率78.7%，輸出12V/3A效率81.2%
▼電源啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/62A輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0ms)時，12V上升時間30ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
▼3.3V/14A、5V/14A、12V/61A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0ms)時，12V於16ms開始下降，19ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為12V電壓波形，CH2藍色波形為5V電壓波形，CH3紫色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載的漣波
▼輸出12V1A(上圖)及12V3A(下圖)的漣波
▼輸出12V4A(上圖)及12V6A(下圖)的漣波
▼於3.3V/14A、5V/14A、12V/61A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為51.552mV/22.922mV/20.434mV，高頻漣波分別為36.474mV/20.925mV/17.544mV
▼於12V/70A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為42.861mV/12.544mV/17.85mV，高頻漣波分別為25.821mV/9.976mV/14.904mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度330.78mV，同時造成5V產生127.7mV、3.3V產生137.92mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度557.01mV，同時造成5V產生194.18mV、3.3V產生204.61mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度844.88mV，同時造成5V產生288.9mV、3.3V產生304.01mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度920.69mV，同時造成5V產生306.28mV、3.3V產生324.9mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及橋式整流/APFC MOSFET/APFC二極體/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET/諧振電感/主變壓器(上圖)及二次側/DC-DC MOSFET(下圖)的紅外線熱影像圖
▼單條雙接頭PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼直出12V-2×6接頭連續輸出50A(600W)10分鐘後的紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結：
○半模組化設計。直出線路提供1個ATX 24P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、1個12V-2×6，模組化線路提供2個PCIE 6+2P、6個直角SATA、2個省力易拔大4P，預留1個CPU&VGA線組插座
○12V-2×6插頭S4/S3接至COM，為600W定義
○直接在外殼沖壓風扇護網，13.5公分風扇採常時溫控運轉
○總開關連接器及磁芯有包覆套管，交流輸入插座焊點/X電容/保險絲/突波吸收器未包覆套管
○主電路板背面焊點整體做工良好，二次側部分大電流線路有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側同步整流輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○APFC MOSFET採用INFINEON，一次側MOSFET採用平偉實業，APFC二極體採用華潤微電子，二次側同步整流MOSFET採用CHAMPION，3.3V&5V DC-DC MOSFET採用UBIQ，-12V DC-DC採用TI。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用TK，固態電容使用TEAPO/ELITE/APAQ，電解電容使用ELITE/JUN FU
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓/電流是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.08%/91.92%/89.36%，符合80PLUS金牌認證要求
○功率因數修正，符合80PLUS金牌認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至3.3V/12A、5V/12A、12V/62A輸出狀態，12V上升時間30ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於16ms開始下降，19ms降至11.41V
○綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為51.552mV/22.922mV/20.434mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為42.861mV/12.544mV/17.85mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度330.78mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度557.01mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度844.88mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度920.69mV
○熱機下3.3V過電流截止點29A(145%)，5V過電流截止點28A(140%)，12V過電流截止點93A(133%)
報告完畢，謝謝收看