NZXT C1200 GOLD 1200W金牌全模組化電源開箱

特色:
●通過80PLUS金牌認證,節省電能消耗,降低廢熱產生
●全模組化設計,採用黑色編織網包覆線材
●相容ATX 3.0/PCIe 5.0,提供1個12VHPWR插座及1條模組化線材,支援新款顯示卡
●處理器12V供電提供1個EPS 8P及1個EPS 4+4P接頭,支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級,搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V,使12V可用功率最大化,並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用13.5公分FDB軸承風扇,具備Zero Fan模式,開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動,負載/溫度提高後採溫控運轉,在散熱效能與靜音中取得平衡
●100%全日系電容,加強可靠度及耐用度,提供10+2年保固(代理商額外提供2年保固)

NZXT  C1200 GOLD 1200W輸出接頭數量:
ATX 20+4P:1個
EPS 8P:1個
EPS 4+4P:1個
12VHPWR:1個
PCIE 6+2P:4個
SATA:8個
大4P:4個

▼外盒正面有NZXT商標、外觀圖、C1200 GOLD名稱、三國語言1200W WATT 80 PLUS GOLD MODULAR PSU字樣、80PLUS金牌、ATX 3.0圖示
▼外盒背面有NZXT商標、C1200 GOLD名稱、安裝於NZXT H9示意圖、三國語言產品特色/規格、輸入/輸出規格表、風扇轉速VS輸出百分比圖表、轉換效率圖表、80PLUS金牌
▼外盒上側面有C1200 GOLD名稱、三國語言1200W WATT 80 PLUS GOLD MODULAR PSU字樣、NZXT商標。外盒下側面有條碼、安規認證、產地、廠商資訊
▼外盒左側面有多國語言產品特色
▼外盒右側面有電源本體輸出插座圖、模組化線材樣式/數量/接頭配置圖
▼包裝內容,電源本體裝在印上商標的白色不織布套內,還有印上商標的紫色收納包及印上商標的產品說明書QR碼紫色紙卡
▼印上商標的紫色收納包內含模組化線組、固定螺絲、3x14AWG(2.08mm²) 15A交流電源線
▼本體尺寸為150mmx150mmx86mm
▼本體兩側外殼有NZXT及C1200字樣
▼直接在外殼上沖壓加工圓形開孔風扇護網
▼本體背面標籤有NZXT商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、80PLUS金牌、警告訊息、產地、條碼、廠商資訊
▼本體出風口處設有交流輸入插座、電源總開關及風扇模式開關
▼出貨時電源本體貼上一張多國語言警告貼紙,說明請勿連接其他電源(包含之前C系列金牌型號)的模組化線材
▼模組化線組輸出插座有名稱標示,下方標示請勿使用其他電源供應器的模組化線材
▼1條主機板電源黑色編織網包覆模組化線路,提供1個ATX 20+4P接頭,線路長度59公分
▼2條處理器電源黑色編織網包覆模組化線路,提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭,線路長度70公分
▼1條12VHPWR黑色編織網包覆模組化線路,兩端接頭標示600W功率,線路長度64.5公分
▼2條顯示卡電源黑色編織網包覆模組化線路,提供4個PCIE 6+2P接頭,至第一個接頭線路長度64.5公分,接頭間線路長度14.5公分
▼3條SATA黑色編織網包覆模組化線路,提供8個直式SATA接頭。其中1條提供4個直式SATA接頭,另外2條每條提供2個直式SATA接頭。至第一個接頭線路長度49.5公分,接頭間線路長度15公分
▼1條大4P黑色編織網包覆模組化線路,提供4個省力易拔大4P接頭,至第一個接頭線路長度49.5公分,接頭間線路長度14.5公分。未提供小4P接頭或轉接線
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12VHPWR接頭連接處近照
▼NZXT C1200 GOLD 1200W內部結構及使用元件說明簡表
▼NZXT C1200 GOLD 1200W為CWT代工,採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振,二次側12V同步整流,並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用Hong Hua HA13525H12SF-Z 13.5公分12V/0.5A風扇,並設置氣流導風片
▼主要元件都移到電路板正面,電路板背面焊點做工良好,大電流路徑有敷錫,12V電流部分路徑敷錫外還增加金屬板
▼交流輸入插座後方焊點加上2個Y電容(CY1/CY2)、1個X電容(CX1)。磁芯、插片式連接器、風扇模式開關/線路均有包覆套管,交流輸入插座未包覆套管
▼X電容(CX1)及接腳有包覆套管,底部小電路板上有X電容放電IC
▼主電路板EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)、2個Y電容(CY3/CY4)。臥式安裝的保險絲及突波吸收器均有包覆套管,共模電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼2顆並聯的WeEn WNB2560M橋式整流器固定在散熱片的兩個面上,正極接腳有絕緣套管
▼APFC電感採用封閉式磁芯
▼NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流,在電源啟動後會使用繼電器將其短路,去除NTC所造成的功耗損失
▼APFC功率元件採用3顆Infineon IPA60R099P6全絕緣封裝MOSFET,APFC二極體採用Infineon IDH16G65C6。於APFC功率元件散熱片上安裝溫度開關
▼負責一次側APFC電路控制的APFC控制子卡正面覆蓋隔板
▼APFC電容採用1顆Nippon Chemi-con 420V 1150µF KHE系列105℃電解電容
▼輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主電路板背面的輔助電源電路一次側整合IC為On-Bright OB2365T
▼一次側散熱片上有2顆Infineon IPA60R099P6全絕緣封裝MOSFET
▼1顆諧振電感及2顆諧振電容(採上下相疊)組成一次側諧振槽。諧振電感、一次側MOSFET隔離驅動變壓器及一次側電流偵測比流器外面包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器二次側繞組直接焊接在二次側同步整流子卡,外面包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼二次側同步整流子卡上有10顆Infineon BSC014N06NS MOSFET組成二次側12V同步整流電路,中間及兩側的金屬板除傳遞電流外,也充當散熱片使用
▼主電路板正面的虹冠電子CU6901VAC負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制,左下有1顆UBIQ QN3107M6N MOSFET
▼12V輸出的5顆Nichicon固態電容、1顆Nippon Chemi-con電解電容及直立電感
▼3.3V/5V DC-DC子卡正面有3.3V/5V DC-DC用環形電感及固態電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡背面,下方有3.3V/5V DC-DC控制用µPI µP3861P雙通道同步降壓PWM控制器,上方有2顆UBIQ QM3054M6 MOSFET及2顆UBIQ QN3107M6N MOSFET,組成3.3V/5V DC-DC功率級
▼電源管理及風扇控制子卡正面右側有Microchip PIC16F1503-I/SL微控制器,左側有Weltrend WT7502R電源管理IC,負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化插座板背面大電流路徑有敷錫,未設置隔板
▼模組化插座板正面,插座之間設置8顆Nippon Chemi-con固態電容、7顆Nichicon固態電容及2顆臥式安裝的Nippon Chemi-con電解電容,加強輸出濾波/退耦效果。右側有1顆UBIQ QN3107M6N MOSFET及-12V DC-DC用TI TPS54231電源IC
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇:電源測試文閱讀小指南
▼NZXT C1200 GOLD 1200W的空載功耗2.93W
▼NZXT C1200 GOLD 1200W於20%/50%/100%下效率分別為90.23%/91.95%/89.12%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼NZXT C1200 GOLD 1200W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓,紅色-電流,綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9869,符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試,輸出45%時3.3V/5V電流達14A後就不再往上加,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為33.4mV
▼綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為35.8mV
▼綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為68mV
▼偏載測試,這時12V維持空載,分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化,並無出現超出±5%範圍情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試,這時3.3V/5V維持空載,3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出5%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為20.7mV
▼純12V輸出5%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為20.2mV
▼純12V輸出5%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為71mV
▼12V低輸出轉換效率測試,輸出12V/1A效率66.7%,輸出12V/2A效率78.3%,輸出12V/3A效率79.7%,輸出12V/4A效率82.7%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/14A、5V/14A、12V/90A滿載輸出下各電壓上升時間圖,從12V開始上升處當成起點(0.000s)時,12V上升時間為15ms,5V上升時間為6ms,3.3V上升時間為8ms
▼3.3V/14A、5V/14A、12V/90A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖,從交流中斷處當成起點(0.000s)時,12V於26ms降至11.47V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖,CH2藍色波形為12V電壓波形,CH3紫色波形為5V電壓波形,CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時12V帶有鋸齒狀漣波,輸出12V/1A至12V/3A時漣波頻率及振幅增加
▼輸出12V/4A至12V/7A時漣波頻率及振幅如下圖所示
▼輸出12V/8A至12V/20A時無明顯漣波。輸出12V/21A時漣波波形改變。輸出12V/22A以上漣波波形固定
▼於3.3V/14A、5V/14A、12V/90A(綜合全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為17.6mV/8.4mV/8mV,高頻漣波分別為13.6mV/9.2mV/8.8mV
▼於12V/100A(純12V全負載)輸出下,12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為16.8mV/6.4mV/6.4mV,高頻漣波分別為12mV/6.4mV/6.8mV
▼12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為202mV,同時造成5V產生34mV、3.3V產生30mV的變動
▼12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為292mV,同時造成5V產生38mV、3.3V產生32mV的變動
▼12V動態負載測試,變動範圍10A至80A,維持時間500微秒,最大變動幅度為632mV,同時造成5V產生68mV、3.3V產生54mV的變動
▼12V動態負載測試,變動範圍20A至100A,維持時間500微秒,最大變動幅度為588mV,同時造成5V產生66mV、3.3V產生58mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC檢流電阻/APFC散熱片/一次側MOSFET(上圖)及APFC MOSFET/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下諧振電感/主變壓器/二次側熱點(上圖)及主變壓器/二次側MOSFET/二次側熱點/DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 8P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12VHPWR模組化線材去接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後,電源端12VHPWR插頭的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼執行FURMARK 30分鐘後,顯示卡端12VHPWR插頭的紅外線熱影像圖(附註:安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結:
○採用全模組化設計,模組化線材使用黑色編織網包覆。提供1個ATX 20+4P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、1個600W 12VHPWR、4個PCIE 6+2P、8個直式SATA、4個省力易拔大4P,未提供小4P接頭或轉接線
○電源端12VHPWR插座的S4/S3接至COM,為600W定義,S2經100kΩ電阻接至+3.3V,S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
○直接在外殼沖壓加工風扇護網,風扇具備Zero Fan模式,開啟後於低負載/低溫下風扇停止運轉,待負載/溫度提高後才會啟動並採溫控運轉。關閉後風扇採常時溫控運轉
○交流輸入插座焊點加上2個Y電容、1個X電容,焊點未包覆套管。X電容底部小電路板有X電容放電IC,X電容及接腳包覆套管。總開關插片連接器、磁芯、模式開關/線路、主電路板保險絲、突波吸收器有包覆套管
○電路板背面焊點整體做工良好,大電流線路有敷錫處理,12V部分線路增加實心金屬板
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出12V,搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○APFC二極體、APFC/一次側/二次側12V同步整流MOSFET採用Infineon,3.3V/5V DC-DC MOSFET採用UBIQ,-12V DC-DC採用TI。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用Nippon Chemi-con,其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍,並加裝微控制器

各項測試結果簡單總結:
○NZXT C1200 GOLD 1200W於20%/50%/100%下效率分別為90.23%/91.95%/89.12%,符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
○NZXT C1200 GOLD 1200W的功率因數修正,滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
○偏載測試,12V維持空載,測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化,均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態,12V上升時間15ms,5V上升時間6ms,3.3V上升時間8ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷,12V於26ms降至11.47V
○輸出無負載時12V帶有鋸齒狀漣波;輸出12V/1A至12V/7A時漣波頻率及振幅增加;輸出12V/8A至12V/20A時無明顯漣波;輸出12V/21A時漣波波形改變;輸出12V/22A以上漣波波形固定。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為17.6mV/8.4mV/8mV;於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為16.8mV/6.4mV/6.4mV
○12V動態負載測試,變動範圍5A至25A,維持時間500微秒,最大變動幅度為202mV
○12V動態負載測試,變動範圍25A至50A,維持時間500微秒,最大變動幅度為292mV
○12V動態負載測試,變動範圍10A至80A,維持時間500微秒,最大變動幅度為632mV
○12V動態負載測試,變動範圍20A至100A,維持時間500微秒,最大變動幅度為588mV
○熱機下3.3V過電流截止點在31A(141%),5V過電流截止點在31A(141%),12V過電流截止點在120A(120%)

報告完畢,謝謝收看