特色：
●80PLUS金牌認證轉換效率
●全模組化設計，採用編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-2×6/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材，線材與接頭皆為白色
●提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12V-2×6 H++插座及1條模組化線材，相容ATX 3.1，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用13.5公分FDB軸承風扇，具備Zero Fan模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●100% 105℃全日系電容，加強可靠度及耐用度，提供10年保固(台灣代理加碼至12年保固，保內換新，停產升級，不計折舊)
輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 8P：1個
EPS 4+4P：1個
12V-2×6：1個
PCIE 6+2P：3個
SATA：12個
大4P：4個
▼外盒正面有NZXT商標、外觀圖、ATX 3.1圖示、80PLUS金牌認證、10年保固圖示、C1200 GOLD名稱
▼外盒背面有NZXT商標、C1200 GOLD名稱、安裝示意圖、產品特色/規格、輸入/輸出規格表、轉換效率圖表、使用手冊下載QR碼連結
▼外盒上側面有C1200 GOLD名稱及NZXT商標。外盒下側面有NZXT商標、C1200 GOLD名稱、條碼、安規認證、產地(中國)、廠商資訊
▼外盒左側面有NZXT商標、C1200 GOLD名稱、多國語言產品特色
▼外盒右側面有NZXT商標、C1200 GOLD名稱、電源本體輸出插座圖、模組化線材樣式/接頭配置圖/數量
▼打開外盒，盒蓋內面印上多國語言"打造非凡"
▼包裝內容，電源本體裝在印有商標的白色不織布袋內，線材裝在印有商標的紫色尼龍收納袋內
▼印有商標的紫色尼龍收納袋內有線材/接頭皆為白色的編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-2×6/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材、固定螺絲、3×2.08mm²(14AWG) 15A交流電源線
▼本體尺寸為160×150×86mm
▼本體兩側外殼有NZXT商標及C1200字樣
▼直接在外殼上沖壓加工六角形開孔風扇護網，護網其中一邊有銀色裝飾條，上面有NZXT商標
▼本體背面標籤有NZXT商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、80PLUS金牌認證、警告訊息、產地(中國)、條碼、廠商資訊
▼本體出風口處設有交流輸入插座、電源總開關及ZERO FAN模式開關
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，下方標示請勿使用其他電源供應器的模組化線材，CPU & PCI-E 8P及PERIPHERAL & SATA 6P輸出插座內的導體為金色
▼1條主機板電源模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，線路長度60公分
▼2條處理器電源模組化線路，提供1個EPS 8P接頭及1個EPS 4+4P接頭，線路長度69.5公分
▼3條顯示卡電源模組化線路，提供3個PCIE 6+2P接頭，線路長度64.5公分
▼1條12V-2×6模組化線路，線路長度64.5公分，兩端接頭標示600W
▼12V-2×6接頭內部連接器的樣式如下圖所示
▼3條SATA模組化線路，提供12個直角SATA接頭，至第一個接頭線路長度49.5公分，接頭間線路長度15公分
▼1條大4P模組化線路，提供4個省力易拔大4P接頭，至第一個接頭線路長度49.5公分，接頭間線路長度14.5公分。未提供小4P接頭或轉接線
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12V-2×6模組化線路插頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V，未提供-12V輸出
▼採用白色HONG HUA HA13525H12SF-Z 12V/0.5A風扇，並設置氣流導風片
▼主電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫，二次側部分區域加上金屬板
▼交流輸入插座焊點有2個Y電容(CY1/CY2)，X電容(CX1)底部小電路板有X電容放電IC及電阻。X電容本體及接腳、磁芯、總開關插片連接器、模式開關線路有包覆套管，交流輸入插座焊點、模式開關焊點、交流電源線未包覆套管
▼主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)及2個Y電容(CY3/CY4)。共模電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，臥式安裝的保險絲及突波吸收器有包覆套管，靠近主變壓器的位置設置內含銅箔的透明隔板
▼2個並聯的瑞能半導體WNB2560M低導通壓降橋式整流器固定在散熱片的兩個面上
▼固定在散熱片上的APFC功率元件採用3個VISHAY SiHA105N60EF全絕緣封裝MOSFET及1個VISHAY VS-3C16ET07T-M3二極體，散熱片上安裝保護用溫度開關。封閉磁芯APFC電感旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失，繼電器旁比流器用來偵測APFC電流
▼封閉磁芯APFC電感與散熱片之間的比流器用來偵測APFC電流
▼APFC控制子卡上的虹冠電子CM6500UNX及擎力科技SPN5003負責APFC電路控制
▼APFC電容採用2個Nippon Chemi-con 450V 680µF KMZ系列105℃電解電容並聯，總容值1360µF
▼輔助電源電路子卡，一次側整合IC為昂寶電子OB2365T，二次側同步整流為通嘉科技LD8926AA1，輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶，APFC散熱片溫度開關線路連接至輔助電源電路子卡
▼固定在散熱片上的一次側功率元件採用2個Infineon IPA60R099P6全絕緣封裝MOSFET，1個諧振電感及2個上下相疊的諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電感、一次側MOSFET的隔離驅動變壓器及偵測一次側電流的比流器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶，二次側繞組焊接在同步整流子卡上
▼同步整流子卡背面有10個TOSHIBA TPW1R306PL MOSFET組成二次側12V同步整流電路，並在其周圍加上金屬板協助散熱
▼TOSHIBA TPW1R306PL MOSFET外觀
▼主電路板背面的虹冠電子CU6901VAC負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制
▼12V輸出的3個Nippon Chemi-con固態電容、3個Nichicon固態電容、1個Nippon Chemi-con電解電容、2個電感
▼3.3V/5V DC-DC子卡背面有力智電子uP3861PSAF雙通道同步降壓PWM控制器，正面有2個力智電子QN3107M6N MOSFET、2個力智電子QM3054M6 MOSFET、2個環狀電感、6個固態電容
▼電源管理及風扇控制子卡，偉詮電子WT7502R電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化插座板背面敷錫增加載流，模組化插座板正面插座之間設置15個Nichicon固態電容、1個Nippon Chemi-con固態電容、2個Nippon Chemi-con電解電容，加強輸出濾波/退耦效果
▼使用標示H++的新款12V-2×6插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗3.68W
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為90.67%/91.99%/89.51%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9939，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出45%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為33.3mV
▼綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為40.3mV
▼綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為30mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出5%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為30mV
▼純12V輸出5%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為31.2mV
▼純12V輸出5%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為32mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率67.4%，輸出12V/2A效率77.8%，輸出12V/3A效率80.2%，輸出12V/4A效率76.5%。12V/4A效率反而下降的原因是電源內部諧振電路於此輸出點切換運作模式
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/14A、5V/14A、12V/89A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間16ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
▼3.3V/14A、5V/14A、12V/89A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於25ms開始壓降，28ms降至11.38V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載、12V/1A、12V/4A、12V/15A、12V/16A、12V/17A時漣波如下圖所示
▼輸出12V/18A、12V/19A、12V/20A、12V/21A時漣波如下圖所示
▼於3.3V/14A、5V/14A、12V/89A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為15.2mV/8.4mV/6.8mV，高頻漣波分別為12mV/7.6mV/6.8mV
▼於12V/98A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/5.2mV/4.4mV，高頻漣波分別為10.4mV/5.2mV/5.2mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度178mV，同時造成5V產生50mV、3.3V產生52mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度260mV，同時造成5V產生48mV、3.3V產生58mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至79A，維持時間500微秒，最大變動幅度634mV，同時造成5V產生70mV、3.3V產生74mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至99A，維持時間500微秒，最大變動幅度578mV，同時造成5V產生72mV、3.3V產生86mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下共模電感/橋式整流(上圖)及APFC散熱片/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下一次側/諧振電感/比流器(上圖)及主變壓器/二次側SR/DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 8P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12V-2×6模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後電源端插頭(左上/右上)及顯示卡端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用編織網包覆(ATX 20+4P/EPS 8P/EPS 4+4P/12V-2×6/PCIE 6+2P)及帶狀(SATA/大4P)模組化線材，線材與接頭皆為白色。提供1個ATX 20+4P、1個EPS 8P、1個EPS 4+4P、1個600W 12V-2×6、3個PCIE 6+2P、12個直角接頭SATA、4個省力易拔大4P，未提供小4P接頭或轉接線
○電源端使用標示H++的12V-2×6插座，S4/S3接至COM，為600W定義，S2經100kΩ電阻接至+3.3V，S1經4.7kΩ電阻接至+3.3V
○風扇護網直接沖壓在外殼上，風扇具備Zero Fan模式，開啟後於低負載/低溫下風扇停止運轉，待負載/溫度提高後才會啟動並採溫控運轉。關閉後風扇採常時溫控運轉
○X電容本體及接腳、總開關插片連接器、磁芯、模式開關線路、主電路板保險絲、突波吸收器有包覆套管，交流電源線、交流輸入插座及模式開關焊點未包覆套管
○主電路板背面焊點整體做工良好，大電流路徑有敷錫，二次側部分區域加上金屬板
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，未提供-12V輸出
○APFC MOSFET及APFC二極體採用VISHAY，一次側MOSFET採用Infineon，二次側12V同步整流MOSFET採用TOSHIBA，3.3V/5V DC-DC MOSFET採用力智電子。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用Nippon Chemi-con，其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon/Rubycon
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為90.67%/91.99%/89.51%，滿足80PLUS金牌認證要求
○功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間16ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於25ms開始壓降，28ms降至11.38V
○綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為15.2mV/8.4mV/6.8mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為14.4mV/5.2mV/4.4mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度178mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度260mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至79A，維持時間500微秒，最大變動幅度634mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至99A，維持時間500微秒，最大變動幅度578mV
○熱機下3.3V過電流截止點29A(131%)，5V過電流截止點30A(136%)，12V過電流截止點134A(134%)
報告完畢，謝謝收看