特色：
●通過80PLUS金牌認證，降低廢熱產生，節省電能消耗及電費支出
●全模組化設計，搭配黑色帶狀模組化線組，ATX20+4P/EPS 4+4P/PCIE 6+2P接頭配置固態電容，提高供電品質
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD最新處理器/主機板平台
●單路12V輸出，半橋諧振轉換，搭配12V同步整流及3.3V/5V DC-DC轉換設計，使12V可用功率最大化，改善各輸出電壓交叉調整率
●內部13.5公分溫控散熱風扇使用雙滾珠軸承，提高耐用性，並具備風扇停轉功能，於低負荷下風扇將停止轉動，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用全日系電容，加強產品耐用性
AORUS AP850GM 850W輸出接頭數量：
ATX20+4P：1個
EPS 4+4P：2個(此時PCIE 6+2P最多5個)
PCIE 6+2P：6個(此時EPS 4+4P最多1個)
SATA：6個
大4P：5個
小4P：2個(其中1個透過大4P轉接)
▼外盒正面有商標、產品外觀圖、80PLUS金牌認證、特色圖示、產品名稱
▼外盒背面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、特色圖片/說明、接頭數量/圖片/模組化線材長度配置
▼外盒上側面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱。外盒下側面有商標、多國語言產品特色、條碼、安規認證、警告訊息、加州65號法案警告訊息、廠商資訊、產地、連結QR碼
▼外盒右側面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、產品規格表
▼外盒左側面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、輸出規格表、轉換效率圖表、風扇噪音VS負載百分比圖表
▼從外盒抽出正面印上商標的內盒
▼包裝內容有印上商標的模組化線路黑色收納包、電源本體、固定螺絲、使用說明書
▼本體尺寸為150x86x160mm
▼本體兩側的裝飾貼紙有商標及產品名稱
▼風扇護網直接沖壓在外殼上，中心處有商標銘牌
▼本體背面的標籤有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、中英文警告訊息、廠商資訊、產地
▼本體出風口處設有交流輸入插座及電源總開關，交流輸入插座上透明貼紙的英文白色字體提醒使用者此電源供應器具備風扇停轉功能，低負荷下風扇不會運轉
▼模組化線組輸出插座有白色字體名稱標示，左上英文黃色字體標籤提醒使用者安裝原廠線材
▼一組主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供1個ATX20+4P接頭，16AWG+22AWG線路長度為64公分。ATX20+4P接頭3.3V/5V/12V各加上1顆270µF 16V固態電容，固態電容接腳用電線延長，整個電容用套管包住
▼兩組處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，其中一條18AWG線路長度為79公分，另一條18AWG線路長度為65公分。每個EPS 4+4P接頭12V加上1顆270µF 16V固態電容，固態電容接腳用電線延長，整個電容用套管包住
▼四組顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供6個PCIE 6+2P接頭，其中兩組提供2個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度為65公分，接頭間18AWG線路長度為15公分。另外兩組每組提供1個PCIE 6+2P接頭，18AWG線路長度為74公分。每組線的第一個PCIE 6+2P接頭12V加上1顆270µF 16V固態電容，固態電容接腳用電線延長，整個電容用套管包住
▼線組使用Nippon Chemi-con固態電容
▼ATX 20+4P、EPS 4+4P、PCIE 6+2P線組均有加裝電容，插拔接頭時注意不要拉扯到電容及線路，避免造成損壞
▼兩組SATA/大4P接頭黑色帶狀模組化線路，提供6個直角SATA接頭及2個直角大4P接頭，其中一組至第一個接頭18AWG線路長度為55公分，另一組至第一個接頭18AWG線路長度為45公分，接頭間18AWG線路長度為10公分
▼一組大4P/小4P接頭黑色帶狀模組化線路，提供3個直式大4P接頭及1個小4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度為45公分，接頭間18AWG線路長度為10公分，末端小4P接頭的22AWG線路長度為10公分。隨附一條大4P轉小4P轉接線，22AWG線路長度為10公分
▼將所有模組化線路插上的樣子，因為只提供5個CPU/PCIE模組化輸出插座，線組配置方式為1條CPU加4條PCIE或是2條CPU加3條PCIE
▼AORUS AP850GM 850W內部結構及使用元件說明簡表
▼AORUS AP850GM 850W為科司特CASTEC代工，採用APFC、半橋諧振、二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V
▼採用Yate Loon D14BH-12 14公分12V/0.7A風扇，風扇電源線靠近接頭的套管內有電容，沒有設置氣流導風片
▼電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
▼交流輸入插座後方焊點加上2個Y電容(CY1/CY2)及1個X電容(CX1)，X電容底部加上小電路板，上面有X電容放電IC(CMD02X)，磁芯有包覆套管，X電容/輸入插座焊點/總開關焊點未包覆套管
▼主電路板EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)，2個Y電容(CY3/CY4)藏在1個X電容(CX2)下方，EMI濾波電路與諧振電感/電容之間有加上隔板。直立安裝的保險絲有包覆套管，突波吸收器未包覆套管
▼2顆並聯的GBU1006橋式整流器固定在右邊散熱片兩側，中間封閉式磁芯APFC電感包覆黑色聚酯薄膜膠帶，左邊散熱片上的APFC功率元件有2顆IXYS IXTP24N65 MOSFET及1顆CREE/Wolfspeed C3D08060A二極體
▼右邊子卡上的Champion CM6500UNX及Champion CM03X負責APFC電路控制，左邊輔助電源電路變壓器的底部包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼位於主電路板背面的Si-trend SI8016HSP8及無錫紫光微電子TPD65R1K2C MOSFET構成輔助電源電路一次側
▼APFC電容採用2顆Nippon Chemi-con 400V 390µF KMR系列105℃電解電容並聯，總容量780µF。APFC電容旁的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，在電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼一次側散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099F全絕緣封裝MOSFET，分別安裝在散熱片兩側
▼1個諧振電感與2個諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電感及一次側MOSFET隔離驅動變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，比流器包覆套管
▼主變壓器旁加上透明隔板
▼主變壓器旁二次側區域有兩個金屬散熱片，每個散熱片兩側各安裝1顆Alpha & Omega AOT2142L MOSFET，總共4顆組成12V全波同步整流電路
▼主電路板背面的Champion CM6901X負責控制一次側諧振轉換器及二次側12V同步整流MOSFET
▼12V同步整流MOSFET金屬散熱片周圍有12V輸出濾波電路用Nippon Chemi-con電解電容及電感
▼3.3V及5V DC-DC子卡採分開配置，每片子卡正面有環形電感及固態電容
▼每片DC-DC子卡背面有4顆Alpha & Omega AON6354 MOSFET，由onsemi NCP1587進行控制
▼模組化輸出插座板背面的grenergy GR8323N電源管理IC，負責監控輸出電壓及電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化輸出插座板及兩片DC-DC子卡之間配置透明隔板
▼模組化輸出插座板與主電路板使用實心金屬條及金屬插針連接，插座之間的固態電容可加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼AORUS AP850GM 850W於20%/50%/100%下效率分別為90.64%/92.26%/89.94%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.06%至0.59%的影響
▼AORUS AP850GM 850W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9848，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出54%時3.3V/5V電流達14A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為11.7mV
▼綜合輸出8%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為12.8mV
▼綜合輸出8%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為11mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為8.5mV
▼純12V輸出6%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為7.5mV
▼純12V輸出6%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為11mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率52%，輸出12V/2A效率72.3%，輸出12V/3A效率78.5%
▼3.3V/14A、5V/14A、12V/60A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於17ms後降至11.4V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為動態負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時無明顯漣波(上圖)。輸出12V/9A時開始出現漣波(下圖)
▼輸出12V/12A時另一種漣波波形出現(上圖)。輸出12V/13A至12V/14A時漣波波形再度改變(下圖)
▼輸出12V/15A時另一種漣波波形出現(上圖)。輸出12V/18A時漣波波形再度改變(下圖)
▼輸出12V/19A時另一種漣波波形出現(上圖)。輸出12V/20A時漣波波形再度改變，之後波形維持不變，只改變振幅(下圖)
▼於3.3V/14A、5V/14A、12V/60A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為11.6mV/12.4mV/10mV，高頻漣波分別為9.6mV/12mV/11.2mV
▼於12V/70A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為10.4mV/8.8mV/6.8mV，高頻漣波分別為9.2mV/8.8mV/6.8mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為358mV，同時造成3.3V產生86mV、5V產生92mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為404mV，同時造成3.3V產生108mV、5V產生118mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度為704mV，同時造成3.3V產生188mV、5V產生208mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及模組化插座(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感/APFC散熱片/一次側散熱片(上圖)及諧振電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側(上圖)及DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P(單頭線)連續輸出21A(252W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P(雙頭線)連續輸出21A(252W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
◆採用全模組化設計，搭配黑色帶狀模組化線組。具備1個ATX20+4P、2個EPS 4+4P、6個PCIE 6+2P、6個直角SATA、2個直角大4P、3個直式大4P、2個小4P(其中1個透過大4P轉接)。ATX20+4P接頭3.3V/5V/12V，EPS 4+4P/PCIE 6+2P接頭12V配置固態電容
◆直接在外殼上沖壓風扇護網，風扇具備低負荷下停止轉動功能
◆交流輸入插座後方焊點加上X/Y電容，X電容底部加上X電容放電IC，磁芯/保險絲有包覆套管，輸入插座焊點/總開關焊點/X電容/突波吸收器未包覆套管
◆電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
◆採用APFC、半橋諧振架構、同步整流輸出12V，並透過DC-DC轉換3.3V/5V
◆APFC MOSFET使用IXYS，一次側MOSFET使用無錫新潔能，12V同步整流及3.3V/5V DC-DC MOSFET使用Alpha & Omega，APFC DIODE使用CREE/Wolfspeed。一次側使用全絕緣封裝MOSFET
◆模組化線組固態電容使用Nippon Chemi-con，內部固態電容使用Nippon Chemi-con/nichicon，電解電容使用Nippon Chemi-con/Rubycon
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓及電流是否在正常範圍
◆模組化插座板與主電路板透過實心金屬條及金屬插針連接
各項測試結果簡單總結：
◆AORUS AP850GM 850W於20%/50%/100%下效率分別為90.64%/92.26%/89.94%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆AORUS AP850GM 850W的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於17ms後降至11.4V
◆輸出無負載時無明顯漣波；輸出12V/9A、12V/12A、12V/13A至12V/14A、12V/15A、12V/18A、12V/19A時漣波波形會隨輸出改變；輸出12V/20A及以上漣波波形不變只改變振幅；於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為11.6mV/12.4mV/10mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為10.4mV/8.8mV/6.8mV
◆12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為358mV
◆12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為404mV
◆12V動態負載測試，變動範圍10A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為704mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在35A(175%)，5V過電流截止點在31A(155%)，12V過電流截止點在92A(130%)
報告完畢，謝謝收看