特色：
●通過80PLUS金牌認證，降低廢熱產生，節省電能消耗及電費支出
●14公分短機身，全模組化設計，搭配黑色帶狀模組化線組
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD處理器及主機板平台
●單路12V輸出，半橋諧振轉換，搭配12V同步整流及3.3V/5V DC-DC轉換設計，使12V可用功率最大化，改善各輸出電壓交叉調整率
●內部12公分溫控散熱風扇具備風扇停轉功能，於低負荷下風扇將停止轉動，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系主電容
GIGABYTE GP-UD750GM 750W輸出接頭數量：
ATX20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
PCIE 6+2P：4個
SATA：8個
大4P：3個
小4P：1個
▼外盒正面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、特色圖示、產品外觀圖
▼外盒背面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、特色說明、轉換效率圖表、風扇噪音VS負載圖表、接頭數量/圖片/模組化線材長度配置圖、輸入/輸出規格表、產品規格表
▼外盒上側面有80PLUS金牌認證、商標、產品名稱/輸出功率。外盒下側面有多國語言產品特色、警告訊息、廠商資訊、產地、安規認證、加州65號法案警告訊息、連結QR碼、條碼
▼外盒右側面有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率、產品外觀圖
▼外盒左側面有商標、產品外觀圖、80PLUS金牌認證、產品名稱/輸出功率
▼包裝內容有模組化線組、電源本體、交流電源線、多國語言說明文件、固定螺絲
▼本體尺寸為150x86x140mm
▼本體兩側印上產品名稱、幾何線條裝飾、商標
▼風扇護網直接沖壓在外殼上，護網外圍有造型凹槽裝飾，中心處有八角形商標銘牌
▼本體背面的標籤有商標、80PLUS金牌認證、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、安規認證、中英文警告訊息、廠商資訊、產地
▼本體出風口處設有交流輸入插座及電源總開關
▼模組化線組輸出插座有白色字體名稱標示，下方英文黃色字體標籤提醒使用者安裝原廠線材
▼一組主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供1個ATX20+4P接頭，18AWG線路長度為61公分
▼兩組處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，18AWG線路長度為60公分
▼兩組顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供4個PCIE 6+2P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度為60公分，接頭間18AWG線路長度為15公分
▼兩組SATA黑色帶狀模組化線路，提供6個直角SATA接頭及2個直式SATA接頭，至第一個接頭18AWG線路長度為60公分，接頭間18AWG線路長度為14公分
▼一組大4P/小4P接頭黑色帶狀模組化線路，提供3個直角大4P接頭及1個小4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度為50公分，大4P接頭間18AWG線路長度為11公分，末端小4P接頭的18AWG線路長度為14公分
▼將所有模組化線路插上的樣子，會多出1個CPU/PCI-E模組化插座未使用
▼GIGABYTE GP-UD750GM 750W內部結構及使用元件說明簡表
▼GIGABYTE GP-UD750GM 750W為科司特CASTEC/MEIC代工，採用APFC、半橋諧振、二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V
▼採用Yate Loon D12SH-12 12公分12V/0.3A風扇，有設置氣流導風片
▼電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
▼移除主電路板後，可以看到二次側位置(紅色箭頭)有加上灰色導熱墊，下方黑色絕緣墊片有開孔使導熱墊可以直接接觸金屬外殼
▼交流輸入插座及總開關後方加上小電路板，上面有2個Y電容(CY1/CY2)、1個X電容(CX1)及X電容放電IC(PN8200)，電路板背面未覆蓋絕緣隔板
▼主電路板交流輸入端臥式安裝的保險絲有包覆套管，突波吸收器未包覆套管
▼主電路板EMI濾波電路有2個共模電感(CM1/CM2)，2個Y電容(CY3/CY4)藏在1個X電容(CX2)下方，EMI濾波電路與諧振電感/諧振電容/主變壓器之間有加上隔板。2顆並聯的GBU1506橋式整流器固定在左邊散熱片的兩側
▼APFC散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET及1顆濟南晶恆SC0665二極體
▼主電路板背面的Champion CM6500UNX負責APFC電路控制
▼APFC電容採用Nippon Chemi-con 400V 680µF KMW系列105℃電解電容
▼APFC電容旁包覆套管的NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，在電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼輔助電源電路一次側整合電源IC為PR8109T，輔助電源電路變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼一次側散熱片上有2顆無錫新潔能NCE65TF099 MOSFET，一次側MOSFET隔離驅動變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼1個諧振電感與1個諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電感及比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼主變壓器包覆黑色聚酯薄膜膠帶，右側兩塊金屬散熱片底部透過灰色導熱墊片接觸12V同步整流MOSFET
▼主電路板背面的Champion CM6901X負責控制一次側諧振轉換器及二次側12V同步整流MOSFET
▼12V同步整流MOSFET金屬散熱片周圍有12V輸出濾波電路用TEAPO固態電容、Teapo/Lelon電解電容及電感
▼主電路板背面的Weltrend WT7502R電源管理IC，負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼3.3V及5V DC-DC子卡採分開配置，每片子卡正面有方形磁芯電感及固態電容，每片背面有1顆Nexperia PSMN3R5-30YL MOSFET及1顆Alpha & Omega AON6354 MOSFET，由uPI uP9303B進行控制。模組化輸出插座板背面及兩片DC-DC子卡之間未設置絕緣隔板
▼模組化輸出插座板的插座之間配置TEAPO固態電容及Lelon電解電容，加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼GIGABYTE GP-UD750GM 750W於20%/50%/100%下效率分別為90.46%/92.2%/90.35%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
從電源本體及線組插頭處測試的電壓差異，會對效率產生0.04%至0.42%的影響
▼GIGABYTE GP-UD750GM 750W於10%/20%/50%/100%的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9848，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼綜合輸出負載測試，輸出60%時3.3V/5V電流達13A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出9%至99%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為1.9mV
▼綜合輸出9%至99%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為23.5mV
▼綜合輸出9%至99%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為30mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為7.1mV
▼純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為2.3mV
▼純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為20mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率60%，輸出12V/2A效率71.2%，輸出12V/3A效率80.4%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/13A、5V/13A、12V/52A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間為20ms，5V與3.3V上升時間為10ms
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/52A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於23ms後低於11.4V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為動態負載電流變化波形，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載時無明顯漣波
▼輸出12V/15A時開始出現漣波(上圖)。輸出12V/16A時漣波波形改變，之後波形維持不變，只改變振幅(下圖)
▼於3.3V/13A、5V/13A、12V/52A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為24.8mV/24.8mV/19.2mV，高頻漣波分別為14.8mV/22.4mV/20mV
▼於12V/62A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為25.6mV/12.8mV/9.2mV，高頻漣波分別為15.6mV/11.6mV/9.2mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為486mV，同時造成3.3V產生64mV、5V產生54mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為380mV，同時造成3.3V產生72mV、5V產生64mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為776mV，同時造成3.3V產生98mV、5V產生88mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感(上圖)及APFC MOSFET/APFC DIODE(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET/諧振電感(上圖)及主變壓器/二次側(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼電源供應器滿載輸出下DC-DC的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼單條PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
◆採用全模組化設計，搭配黑色帶狀模組化線組。具備1個ATX20+4P、2個EPS 4+4P、4個PCIE 6+2P、6個直角SATA、2個直式SATA、3個直角大4P、1個小4P，全部使用18AWG線路
◆直接在外殼上沖壓風扇護網，低負荷風扇停轉功能固定開啟
◆交流輸入插座及總開關後方加上小電路板，上面有2個Y電容、1個X電容及X電容放電IC，背面未覆蓋絕緣隔板。主電路板上保險絲有包覆套管，突波吸收器未包覆套管
◆電路板背面焊點做工良好，大電流路徑有敷錫
◆採用APFC、半橋諧振、同步整流輸出12V，並透過DC-DC轉換3.3V/5V
◆APFC及一次側MOSFET使用無錫新潔能，APFC DIODE使用濟南晶恆，3.3V/5V DC-DC MOSFET使用Alpha & Omega及Nexperia
◆內部APFC電容使用Nippon Chemi-con，其他固態/電解電容使用TEAPO/Lelon
◆二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
◆GIGABYTE GP-UD750GM 750W於20%/50%/100%下效率分別為90.46%/92.2%/90.35%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
◆GIGABYTE GP-UD750GM 750W的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9
◆偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
◆電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間為20ms，3.3V/5V上升時間為10ms
◆綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於23ms後低於11.4V
◆輸出無負載時無明顯漣波；輸出12V/15A時開始出現漣波；輸出12V/16A及以上漣波波形不變只改變振幅；於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為24.8mV/24.8mV/19.2mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為25.6mV/12.8mV/9.2mV
◆12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為486mV
◆12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為380mV
◆12V動態負載測試，變動範圍10A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為776mV
◆熱機下3.3V過電流截止點在27A(135%)，5V過電流截止點在26A(130%)，12V過功率截止點在83A(136%)
報告完畢，謝謝收看