特色：
●通過80PLUS金牌認證轉換效率
●全模組化設計，採用壓紋線材
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12V-2×6插座及1條模組化線材，相容ATX 3.1及PCIe 5.1，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用12公分FDB軸承溫控散熱風扇，具備風扇停轉模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●提供10年保固
輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
12V-2×6：1個
PCIE 6+2P：3個
SATA：7個
大4P：5個
▼外盒正面有商標、名稱、外觀圖、功率標示、ATX 3.1 Ready圖示、PCIe 5.1 Ready圖示、10年保固圖示、80PLUS金牌認證
▼外盒背面有商標、中文產品資訊貼紙、10年保固圖示、80PLUS金牌認證、轉換效率圖、輸出百分比VS風扇轉速圖、線材數量/接頭配置圖、規格表、輸入/輸出規格表、認證標誌、顏色標示、原廠網址、產地(中國)、條碼
▼外盒上/下側面有商標及名稱
▼外盒左側面有商標、ATX 3.1 Ready圖示、PCIe 5.1 Ready圖示、10年保固圖示、80PLUS金牌認證商標、外觀圖、功率標示、顏色標示
▼包裝內容有電源、印上商標的黑色不織布收納袋(內裝3×0.75mm² 7A交流電源線及模組化線組)、12V-2×6(12VHPWR)連接注意事項說明卡、塑膠束帶、固定螺絲、說明書
▼12V-2×6(12VHPWR)連接注意事項說明卡
▼電源尺寸140×150×86mm
▼側邊外殼有名稱
▼直接在外殼上沖壓方形孔洞風扇護網
▼電源背面標籤有名稱、功率標示、商標、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、製造商、產地(中國)、條碼、80PLUS金牌認證、認證標誌
▼電源出風口處設有交流輸入插座、風扇停轉模式開關、電源總開關，並標示輸入電壓/電流/頻率
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，下方有商標
▼1條主機板電源模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，線路長度59公分
▼2條處理器電源模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，線路長度69.5公分
▼3條顯示卡電源模組化線路，提供3個PCIE 6+2P接頭，線路長度59.5公分
▼1條12V-2×6模組化線路，線路長度65公分，接頭標示600W
▼12V-2×6接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼12V-2×6接頭外殼側面有H++標示
▼3條SATA+大4P模組化線路，提供7個直式SATA接頭及5個直式大4P接頭，至第一個接頭線路長度45公分，接頭間線路長度15公分，所有的SATA接頭均未配置3.3V供電
▼將所有模組化線路插上的樣子，會多出1個PERIPHERAL/SATA輸出插座
▼12V-2×6模組化線路接頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用HONG HUA HA1225M12F-Z 12V/0.45A風扇，並設置氣流導風片
▼主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
▼交流輸入插座焊點連接小電路板，靠近一次側MOSFET位置加上隔板。小電路板背面有X電容放電IC及電阻，正面有2個Y電容(CY1/CY2)、1個X電容(CX1)、保險絲、1個共模電感(CM1)。保險絲有包覆套管，模式開關本體及線路包覆套管
▼主電路板有1個共模電感(CM2)及2個Y電容(CY3/CY4)，突波吸收器未包覆套管
▼2個GBU1508橋式整流器安裝在相鄰的散熱片上
▼APFC散熱片上面有2個SANRISE TECH深圳尚揚通科技SRC60R140BTF全絕緣封裝MOSFET及1個CHINA RESOURCES MICROELECTRONICS華潤微電子CRXF08D065G2全絕緣封裝二極體
▼NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼APFC電容採用TK 420V 680µF LW系列105℃電解電容
▼輔助電源電路變壓器旁有XUANYAN上海宣研電子XY6115一次側整合IC及MHCHXM海矽美ER1EL60ACS TO-252表面黏著封裝二次側整流二極體。左上區域的DEEP-POOL MICROELECTRONICS芯潭微電子NDP2431KC負責轉換-12V，UTC8313F電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼主電路板正面的2個CHINA RESOURCES MICROELECTRONICS華潤微電子CRJS99N65G2BF TO-263表面黏著封裝一次側MOSFET，周圍加上U型金屬板協助散熱
▼主變壓器兩旁的1個諧振電感及2個諧振電容組成一次側諧振槽
▼主電路板正面的6個ALL POWER MICROELECTRONICS銓力半導體APG013N04G MOSFET負責二次側12V同步整流，MONOLITHIC POWER SYSTEM芯源系統MP6924B負責二次側12V同步整流控制
▼二次側區域的NJCON固態電容及TK電解電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡上有環狀電感及NJCON固態電容。3.3V/5V DC-DC電路使用4個MAPLESEMI美浦森半導體SLM100N03T MOSFET
▼模組化插座板背面焊點敷錫，正面插座之間設置NJCON固態電容，加強輸出濾波/退耦效果
▼使用標示H++(紅框)的12V-2×6插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.01%/92.02%/88.92%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.998，滿足80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數大於0.9
▼綜合輸出負載測試，輸出46%時3.3V/5V電流達12A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為54.7mV
▼綜合輸出8%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為60.2mV
▼綜合輸出8%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為77mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為50.8mV
▼純12V輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為51.9mV
▼純12V輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為62mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率64.8%，輸出12V/2A效率73.7%，輸出12V/3A效率79.5%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/62A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0ms)時，12V上升時間15ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
▼3.3V/12A、5V/12A、12V/62A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0ms)時，12V於20ms開始下降，24ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載的漣波
▼輸出12V/1A(上圖)及輸出12V/2A(下圖)的漣波
▼輸出12V/3A(上圖)及輸出12V/4A(下圖)的漣波
▼輸出12V/5A(上圖)及輸出12V/9A(下圖)的漣波
▼於3.3V/12A、5V/12A、12V/62A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為31.2mV/16.8mV/15.6mV，高頻漣波分別為16.8mV/14mV/14.4mV
▼於12V/70A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為29.6mV/14.8mV/12.4mV，高頻漣波分別為17.6mV/14mV/12.4mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度250mV，同時造成5V產生54mV、3.3V產生72mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度304mV，同時造成5V產生88mV、3.3V產生112mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度492mV，同時造成5V產生132mV、3.3V產生160mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度504mV，同時造成5V產生136mV、3.3V產生166mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC檢流電阻/APFC電感(上圖)及一次側MOSFET/諧振電感/主變壓器(下圖)的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下二次側(上圖)及DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖
▼EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用壓紋線材。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個12V-2×6、3個PCIE 6+2P、7個直式SATA、5個直式大4P，未提供小4P接頭或轉接線，SATA未供應3.3V
○直接在外殼上沖壓方形孔洞風扇護網，具備風扇停轉模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，關閉時風扇採常時溫控運轉
○交流輸入插座後方小電路板靠近一次側MOSFET位置有隔板，保險絲/模式開關本體及線路有包覆套管，突波吸收器沒有包覆套管
○主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○APFC MOSFET採用深圳尚揚通科技，APFC二極體及一次側MOSFET採用華潤微電子，二次側同步整流MOSFET採用銓力半導體，3.3V&5V DC-DC MOSFET採用美浦森半導體，-12V DC-DC採用芯潭微電子。APFC MOSFET/二極體採用全絕緣封裝，一次側MOSFET採用TO-263表面黏著封裝
○APFC電容使用TK，固態電容使用NJCON(南京永立)，其他電解電容使用TK
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.01%/92.02%/88.92%，符合80PLUS金牌認證要求
○功率因數修正，符合80PLUS金牌認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間15ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於20ms開始下降，24ms降至11.41V
○綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為31.2mV/16.8mV/15.6mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為29.6mV/14.8mV/12.4mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度250mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度304mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至56A，維持時間500微秒，最大變動幅度492mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至70A，維持時間500微秒，最大變動幅度504mV
○熱機下3.3V過電流截止點27A(150%)，5V過電流截止點30A(167%)，12V過電流截止點104A(147%)
報告完畢，謝謝收看