特色：
●通過PPLP.INFO白金認證、PPLP.INFO ATX 3+認證、80PLUS白金認證轉換效率
●全模組化設計，採用壓紋線材
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援高階INTEL/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12V-2×6插座及1條模組化線材，相容ATX 3.1/PCIe 5.1，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、全橋諧振及12V同步整流，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●12公分FDB軸承風扇於低負載/溫度下自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●全日系電容
●安全最佳化設計，通過海拔5000公尺認證
輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
12V-2×6：1個
PCIE 6+2P：4個(其中2個PCIE 6+2P由12V-2×6轉接線提供)
SATA：9個
大4P：3個
▼外盒正面有商標、PPLP.INFO白金認證、PPLP.INFO ATX 3+認證、輸出功率、名稱、80PLUS白金認證、ATX 3.1 Ready圖示、PCIe 5.1 Ready圖示、外觀圖
▼外盒背面有商標、特色、多國語言"電腦用電源供應器，請參訪我們的網站獲取更多資訊"、輸入/輸出規格表、回收資訊、認證標誌、接頭外觀/數量表、條碼、產地(中國)、原廠網址
▼外盒上/下側面有商標及名稱
▼外盒左側面有商標、代理商貼紙及顏色標示，外盒右側面有商標及名稱
▼包裝內容有電源、模組化線材、塑膠束帶、固定螺絲、3×1.5mm² 15A交流電源線、說明書
▼電源尺寸140×150×86mm
▼側邊外殼裝飾圖樣內有商標、名稱、輸出功率
▼直接在外殼上沖壓風扇護網，中間加上商標銘牌
▼電源背面標籤有商標、名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、80PLUS白金認證、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、認證標誌、警告訊息、產地(中國)、製造商、條碼
▼電源出風口處設有電源總開關及交流輸入插座
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，左邊有商標及名稱
▼1條主機板電源模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，線路長度59公分
▼2條處理器電源模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，線路長度65公分
▼2條顯示卡電源模組化線路，提供2個PCIE 6+2P接頭，線路長度59.5公分
▼1條12V-2×6轉2個PCIE 6+2P模組化線路，每個PCIE 6+2P接頭的線路長度60公分
▼12V-2×6接頭外殼側面有H++標示
▼1條12V-2×6模組化線路，線路長度60公分，接頭標示600W
▼12V-2×6接頭外殼側面有H++標示
▼12V-2×6接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼3條SATA+大4P模組化線路，提供9個直角SATA接頭及3個直式大4P接頭，至第一個接頭線路長度45公分，接頭間線路長度14.5公分
▼將所有模組化線路插上的樣子，當使用原生12V-2×6時，PCIE 6+2P最大可用數量為2個
▼12V-2×6模組化線路接頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V
▼採用GLOBE FAN S1202512L 12V/0.18A(FDB)風扇，並設置氣流導風片
▼主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
▼交流輸入插座焊點加上2個Y電容(CY1/CY2)，交流輸入插座焊點及總開關焊點未包覆套管
▼主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、2個X電容(CX1/CX2)、4個Y電容(CY3/CY4/CY5/CY6)、X電容放電IC及電阻。保險絲及突波吸收器未包覆套管
▼橋式整流器兩面均加上散熱片
▼一次側散熱片上面有2個MAPLESEMI美浦森半導體SLF60R090E7全絕緣封裝APFC MOSFET、1個DIODES DSC10A065 APFC二極體、4個CONVERT蘇州鍇威特CS25N50FF全絕緣封裝一次側MOSFET
▼NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼APFC控制子卡的TI德儀UCC28180及SYNC POWER擎力科技SPN5003負責APFC電路控制
▼APFC電容採用RUBYCON 420V 560µF MXE系列105℃電解電容
▼包覆黑色聚酯薄膜膠帶的輔助電源電路變壓器旁有PWM控制器(紅框SOT23-6元件)及FIRST SEMICONDUCTORS福斯特半導體FIR4N70L TO-252表面黏著封裝MOSFET
▼主變壓器採用諧振變壓器，旁邊有2個諧振電容及隔離驅動變壓器
▼子卡上的TI德儀UCC25600負責一次側諧振控制，INFSITRONIX極創電子IN1S313I-SAG電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼主電路板正面散熱片上的4個AGMSEMI深圳芯控源AGM4012C TO-220封裝MOSFET負責二次側12V同步整流
▼二次側區域的UNICON固態電容及RUBYCON電解電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡上有環狀電感及UNICON固態/電解電容
▼3.3V/5V DC-DC子卡上有2個ANPEC茂達電子APW7164同步降壓PWM控制器及4個INFINEON英飛凌BSC0906NS MOSFET
▼模組化插座板背面焊點敷錫，正面插座之間設置NIPPON CHEMI-CON(藍色印刷)/UNICON(紅色印刷)固態電容及UNICON電解電容，加強輸出濾波/退耦效果
▼使用標示H++(紅框)的12V-2×6插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.52%/93.01%/90.12%，符合80PLUS白金認證要求20%輸出90%效率、50%輸出92%效率、100%輸出89%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9954，滿足80PLUS白金認證要求50%輸出下功率因數大於0.95
▼綜合輸出負載測試，輸出47%時3.3V/5V電流達12A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出8%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為81.3mV
▼綜合輸出8%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為64.1mV
▼綜合輸出8%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為6mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出6%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為19.2mV
▼純12V輸出6%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為21.5mV
▼純12V輸出6%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為5mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率63.4%，輸出12V/2A效率75.7%，輸出12V/3A效率82.1%，輸出12V/4A效率84.7%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/74A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0ms)時，12V上升時間6ms，5V上升時間13ms，3.3V上升時間9ms
▼3.3V/12A、5V/12A、12V/74A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0ms)時，12V於17ms開始下降，18ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH1黃色波形為12V電壓波形，CH2藍色波形為5V電壓波形，CH3紫色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載(上圖)及輸出12V/1A(下圖)的漣波
▼於3.3V/12A、5V/12A、12V/74A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為36.114mV/23.981mV/17.805mV，高頻漣波分別為25.778mV/20.08mV/16.677mV
▼於12V/83A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為36.888mV/12.736mV/13.882mV，高頻漣波分別為24.997mV/9.8186mV/11.349mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度271.68mV，同時造成5V產生70.533mV、3.3V產生82.733mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度423.89mV，同時造成5V產生112.33mV、3.3V產生131.5mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至67A，維持時間500微秒，最大變動幅度910.45mV，同時造成5V產生181.36mV、3.3V產生209.97mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度951.81mV，同時造成5V產生194.45mV、3.3V產生217.5mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流(上圖)及APFC電感/APFC MOSFET/APFC二極體/一次側MOSFET/主變壓器(下圖)的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側(上圖)及DC-DC(下圖)的紅外線熱影像圖
▼EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼12V-2×6轉雙PCIE 6+2P連續輸出42A(504W)10分鐘後的電源端12V-2×6模組化接頭紅外線熱影像圖
▼用隨附的12V-2×6模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 5090 32G SUPRIM SOC進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後的HWiNFO感測器頁面、GPU-Z Sensors頁面、FURMARK畫面
▼執行FURMARK 30分鐘後顯示卡端插頭(左上/右上)及電源端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用壓紋線材。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個12V-2×6、4個PCIE 6+2P(其中2個PCIE 6+2P由12V-2×6轉接線提供)、9個直角SATA、3個直式大4P，未提供小4P接頭或轉接線
○直接在外殼上沖壓風扇護網，於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉
○交流輸入插座焊點/總開關焊點/保險絲/突波吸收器沒有包覆套管
○主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V
○APFC MOSFET採用美浦森，APFC二極體採用DIODES，一次側MOSFET採用蘇州鍇威特，二次側12V同步整流MOSFET採用深圳芯控源，3.3V&5V DC-DC MOSFET採用英飛凌。APFC及一次側MOSFET採用全絕緣封裝
○APFC電容使用RUBYCON，固態電容使用NIPPON CHEMI-CON/UNICON，其他電解電容使用RUBYCON/UNICON
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.52%/93.01%/90.12%，符合80PLUS白金認證要求
○功率因數修正，符合80PLUS白金認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間6ms，5V上升時間13ms，3.3V上升時間9ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於17ms開始下降，18ms降至11.41V
○綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為36.114mV/23.981mV/17.805mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為36.888mV/12.736mV/13.882mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度271.68mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度423.89mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至67A，維持時間500微秒，最大變動幅度910.45mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度951.81mV
○熱機下3.3V過電流截止點36A(180%)，5V過電流截止點35A(175%)，12V過電流截止點123A(148%)
報告完畢，謝謝收看