特色：
●通過80PLUS金牌認證轉換效率
●全模組化設計，採用壓紋帶狀線材
●提供1個EPS 4+4P接頭及1個EPS 8P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12V-2×6插座及1條模組化線材，相容ATX 3.1，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級，單路12V輸出搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●採用12公分FDB軸承溫控散熱風扇，具備ZERO FAN模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系電解電容，提供5年保固
輸出接頭數量：
ATX 20+4P：1個
EPS 4+4P：1個
EPS 8P：1個
12V-2×6：1個
PCIE 6+2P：3個
SATA：9個
大4P：3個
▼外盒正面有商標、名稱、外觀圖、ATX 3.1圖示、80PLUS金牌認證、5年保固圖示
▼外盒背面有名稱、輸出功率、英文特色、接頭外觀/數量、產品規格、認證標誌、輸入/輸出規格表、說明書QR碼連結、產地(中國)、商標、原廠網址
▼外盒上/下側面有商標
▼外盒左側面有商標、名稱、原廠網址。外盒右側面有商標、條碼、運輸標誌
▼包裝內容有電源、印上商標的黑色收納袋(內有3×2.08mm² 15A交流電源線、模組化線材、固定螺絲)
▼電源尺寸140×150×86mm
▼側邊外殼標籤有商標、名稱、輸出功率
▼直接在外殼上沖壓風扇護網，中間加上商標銘牌
▼電源背面標籤有名稱、輸出功率、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、80PLUS金牌認證、認證標誌、產地(中國)、條碼、商標
▼電源出風口處設有ZERO FAN模式開關、電源總開關、交流輸入插座
▼模組化線組輸出插座有名稱標示，左上有商標
▼1條主機板電源模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，線路長度60公分
▼2條處理器電源模組化線路，提供1個EPS 4+4P接頭及1個EPS 8P接頭，線路長度70公分
▼3條顯示卡電源模組化線路，提供3個PCIE 6+2P接頭，線路長度69.5公分
▼1條12V-2×6模組化線路，線路長度69.5公分，接頭標示600W
▼12V-2×6接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼12V-2×6接頭外殼側面有H++標示
▼3條SATA模組化線路，提供6個直角SATA接頭及3個直式SATA接頭，至第一個接頭線路長度50公分，接頭間線路長度15公分
▼1條大4P模組化線路，提供3個直式大4P接頭，至第一個接頭線路長度50公分，接頭間線路長度15公分
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12V-2×6模組化線路接頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用HONG HUA HA1225M12F-Z 12V/0.45A風扇，並設置氣流導風片
▼主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
▼交流輸入插座及總開關安裝在子卡上，兩者之間的保險絲有包覆套管。1個共模電感(CM1)裝在子卡上，2個共模電感(CM2/CM3)及2個Y電容(CY3/CY4)裝在主電路板上，共模電感有包覆套管
▼子卡邊緣有1個X電容(CX1)及X電容放電IC，背面有1個X電容(CX2)及隔板。2個表面黏著Y電容(CY1/CY2)裝在主電路板上
▼模式開關本體及線路包覆套管
▼2個GBU25M橋式整流器安裝在散熱片的兩個面，旁邊的突波吸收器未包覆套管
▼APFC功率元件子卡上面有TO-263表面黏著封裝功率元件(3個APFC MOSFET及2個APFC二極體)，子卡正面功率元件表面塗上散熱膏接觸散熱片，子卡背面及金屬板之間有導熱墊片
▼APFC電容採用NIPPON CHEMI-CON 420V 1150µF KHE系列105℃電解電容
▼NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼輔助電源電路變壓器旁有XUANYAN上海宣研電子XY6115一次側整合IC及MHCHXM海矽美ER1EL60ACS TO-252(D-PAK)表面黏著封裝二次側整流二極體
▼主電路板正面的2個SANRISE TECH深圳尚揚通科技SRC60R068BSS2 TO-263表面黏著封裝一次側MOSFET，周圍加上U型金屬板協助散熱
▼APFC/一次側控制子卡的INFINEON英飛凌ICE2PCS01G(上)負責APFC電路控制，MONOLITHIC POWER SYSTEM芯源系統HR1213(下)負責一次側諧振控制
▼主變壓器採用三明治結構搭配二次側板狀繞組，旁邊的1個諧振電感及2個諧振電容組成一次側諧振槽
▼主電路板正面的8個ALPHA & OMEGA萬國半導體AON6152A MOSFET負責二次側12V同步整流
▼二次側區域的NIPPON CHEMI-CON固態電容及電解電容，同步整流控制子卡上的MONOLITHIC POWER SYSTEM芯源系統MP6924B負責二次側12V同步整流控制
▼3.3V/5V DC-DC子卡上有環狀電感及NIPPON CHEMI-CON固態電容，加上L型金屬板協助散熱
▼3.3V/5V DC-DC電路使用4個ALPHA & OMEGA萬國半導體AON6512 MOSFET
▼主電路板正面的DEEP-POOL MICROELECTRONICS芯潭微電子NDP2430KC負責轉換-12V
▼主電路板正面的UTC8313F電源管理IC負責監控輸出電壓、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號
▼模組化插座板背面焊點敷錫，正面插座之間設置NIPPON CHEMI-CON固態電容，加強輸出濾波/退耦效果
▼使用標示H++(紅框)的12V-2×6插座
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼空載功耗
▼20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.03%/92.21%/89.65%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9986，滿足80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數大於0.9
▼綜合輸出負載測試，輸出37%時3.3V/5V電流達12A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為53.3mV
▼綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為56.1mV
▼綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為75mV
▼偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼純12V輸出5%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為45.3mV
▼純12V輸出5%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為45.7mV
▼純12V輸出5%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為61mV
▼12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率53.1%，輸出12V/2A效率66.8%，輸出12V/3A效率71.6%，輸出12V/4A效率77.4%
▼電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/12A、5V/12A、12V/95A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0ms)時，12V上升時間13ms，5V上升時間4ms，3.3V上升時間4ms
▼3.3V/12A、5V/12A、12V/95A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0ms)時，12V於25ms開始下降，30ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼輸出無負載(上圖)及輸出12V/1A(下圖)的漣波
▼輸出12V/2A(上圖)及輸出12V/4A(下圖)的漣波
▼於3.3V/12A、5V/12A、12V/95A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26.8mV/21.6mV/21.6mV，高頻漣波分別為16.4mV/21.2mV/20mV
▼於12V/103A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26mV/16.4mV/17.2mV，高頻漣波分別為16mV/13.6mV/16.8mV
▼12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度314mV，同時造成5V產生132mV、3.3V產生138mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度484mV，同時造成5V產生182mV、3.3V產生206mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍10A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度880mV，同時造成5V產生298mV、3.3V產生324mV的變動
▼12V啟動動態負載，變動範圍20A至103A，維持時間500微秒，最大變動幅度952mV，同時造成5V產生302mV、3.3V產生324mV的變動
▼電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下橋式整流(上圖)及APFC MOSFET/APFC二極體/APFC電感(下圖)的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下一次側MOSFET/諧振電感/主變壓器(上圖)及二次側(下圖)的紅外線熱影像圖
▼電源供應器滿載輸出下DC-DC的紅外線熱影像圖
▼EPS 8P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼PCIE 6+2P連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖
▼用隨附的12V-2×6模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 5090 32G SUPRIM SOC進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後的HWiNFO感測器頁面、GPU-Z Sensors頁面、FURMARK畫面
▼執行FURMARK 30分鐘後顯示卡端插頭(左上/右上)及電源端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖
本體及內部結構心得小結：
○全模組化設計，採用壓紋帶狀線材。提供1個ATX 20+4P、1個EPS 4+4P、1個EPS 8P、1個12V-2×6、3個PCIE 6+2P、9個SATA(6個直角，3個直式)、3個直式大4P，未提供小4P接頭或轉接線
○直接在外殼上沖壓風扇護網，具備ZERO FAN模式，開啟後於低負載/溫度下風扇自動停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，關閉後風扇採常時溫控運轉
○交流輸入插座及總開關安裝在子卡上，背面加上隔板。保險絲及共模電感有包覆套管，突波吸收器未包覆套管
○主電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，部分大電流線路有敷錫
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出單路12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○一次側MOSFET採用深圳尚揚通科技，二次側同步整流及3.3V&5V DC-DC MOSFET採用萬國半導體，-12V DC-DC採用芯潭微電子。APFC及一次側的功率元件均採用TO-263表面黏著封裝
○APFC電容使用NIPPON CHEMI-CON，固態電容及其他電解電容使用NIPPON CHEMI-CON
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍
各項測試結果簡單總結：
○20%/50%/100%輸出轉換效率分別為91.03%/92.21%/89.65%，符合80PLUS金牌認證要求
○功率因數修正，符合80PLUS金牌認證要求
○偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間13ms，5V上升時間4ms，3.3V上升時間4ms
○綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於25ms開始下降，30ms降至11.41V
○綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26.8mV/21.6mV/21.6mV，於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為26mV/16.4mV/17.2mV
○12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度314mV
○12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度484mV
○12V動態負載測試，變動範圍10A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度880mV
○12V動態負載測試，變動範圍20A至103A，維持時間500微秒，最大變動幅度952mV
○熱機下3.3V過電流截止點36A(180%)，5V過電流截止點34A(170%)，12V過電流截止點>155A(>149%)
報告完畢，謝謝收看